■由式(43)可见当控制电流的方向或磁场的 方向改变时输出电势的方向也将改变。但当磁 场与电流同时改变方向时霍尔电势极性不变 需要指出的是,在上述公式中施加在霍尔元件 上的磁感应强度为B的磁场是垂直于薄片的,即 磁感应强度B的方向和霍尔元件的平面法线是 致的。当磁感应强度B和元件平面法线成一 角度θ时,作用在元件上的有效磁场是其法线方 向的分量(即Bcos),这时,U= KLIBcos0
◼ 由式（4.3）可见,当控制电流的方向或磁场的 方向改变时,输出电势的方向也将改变。但当磁 场与电流同时改变方向时,霍尔电势极性不变。 ◼ 需要指出的是,在上述公式中,施加在霍尔元件 上的磁感应强度为B的磁场是垂直于薄片的,即 磁感应强度B的方向和霍尔元件的平面法线是 一致的。当磁感应强度B和元件平面法线成一 角度θ时,作用在元件上的有效磁场是其法线方 向的分量（即Bcosθ）,这时,UH=KHIBcosθ
4.2.2霍尔元件结构 霍尔元件的结构很简单,它由霍尔片、引线和壳体组成。霍尔 片是一块矩形半导体薄片,一般采用N型的锗、锑化铟和砷化 铟等半导体单晶材料制成,见图4.2。在长边的两个端面上焊 有两根控制电流端引线(见图中1,1),在元件短边的中间以 点的形式焊有两根霍尔电压输出端引线(见图中2,2)。焊 接处要求接触电阻小,且呈纯电阻性质(欧姆接触)。霍尔片 般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装
◼ 4.2.2 ◼ 霍尔元件的结构很简单,它由霍尔片、引线和壳体组成。霍尔 片是一块矩形半导体薄片,一般采用N型的锗、锑化铟和砷化 铟等半导体单晶材料制成,见图4.2。在长边的两个端面上焊 有两根控制电流端引线（见图中1,1′）,在元件短边的中间以 点的形式焊有两根霍尔电压输出端引线（见图中2,2′）。焊 接处要求接触电阻小,且呈纯电阻性质（欧姆接触）。霍尔片 一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装
图42霍尔元件示意图
图4.2 霍尔元件示意图 1 2 1′ 2′
■423基本电路 ■通常在电路中,霍尔元件可用如图4.3所示的几种符号表示。 标注时,国产器件常用H代表霍尔元件,后面的字母代表元件 的材料数字代表产品序号。如Hz-1元件,说明是用锗材料制 成的霍尔元件;HT-1元件,说明是用锑化铟材料制成的元件。 常用霍尔元件及其参数见本节后面的表41
◼ 4.2.3 ◼ 通常,在电路中,霍尔元件可用如图4.3所示的几种符号表示。 标注时,国产器件常用H代表霍尔元件,后面的字母代表元件 的材料,数字代表产品序号。如HZ-1元件,说明是用锗材料制 成的霍尔元件；HT-1元件,说明是用锑化铟材料制成的元件。 常用霍尔元件及其参数见本节后面的表4.1
■图44示出了霍尔元件的基本电路。控制电流由电源E供给; R为调节电阻,用于调节控制电流的大小。霍尔输出端接负载 R。R可以是一般电阻,也可以是放大器的输入电阻或指示器 内阻。在磁场与控制电流的作用下,负载上就有电压输出。 在实际使用时,l、B或两者同时作为信号输入,而输出信号则 正比于域或B或正比于两者的乘积
◼ 图4.4示出了霍尔元件的基本电路。控制电流由电源E供给； R为调节电阻,用于调节控制电流的大小。霍尔输出端接负载 Rf。Rf可以是一般电阻,也可以是放大器的输入电阻或指示器 内阻。在磁场与控制电流的作用下,负载上就有电压输出。 在实际使用时,I、B或两者同时作为信号输入,而输出信号则 正比于I或B,或正比于两者的乘积