H 图43霍尔元件的符号
图4.3 霍尔元件的符号 H
R + E 表示B指向纸面 图44霍尔元件的基本电路
图4.4 霍尔元件的基本电路 × I R E ＋ － Rf UH ×表 示B指 向 纸 面
建立霍尔效应所需的时间很短(约10 12~1014s),因此控制电流用交流时,频 率可以很高(几千兆赫) 在实际应用中,霍尔元件可以在恒压或恒 流条件下工作,其特性不一样。究竟应用 采用哪种方式,要根据用途来选择 1.恒压工作 ■如图4.5所示,恒压工作比恒流工作的性能 要差些,只适用于对精度要求不太高的地 万
◼ 建立霍尔效应所需的时间很短（约10- 12～10-14s）,因此控制电流用交流时,频 率可以很高（几千兆赫）。 ◼ 在实际应用中,霍尔元件可以在恒压或恒 流条件下工作,其特性不一样。究竟应用 采用哪种方式，要根据用途来选择。 ◼ 1. ◼ 如图4.5所示,恒压工作比恒流工作的性能 要差些,只适用于对精度要求不太高的地 方
当使用SHS210霍尔元件时,工作在1、1 kG(1Gs=104T)时,输出电压为21~55mV, 偏移电压为±7%(最大)(147~3.85 m√)。无磁场时偏移电压不变,在弱磁场下工 作不利。偏移电压可以调整为零,但与运算放大 器一样,并不能去除其漂移成分。 ■在恒压条件下性能不好的主要原因为霍尔元件 输入电阻随温度变化和磁阻效应的影响。输入 电阻的温度系数因霍尔元件的材料型号而异, GaAs型为±03%/℃(最大,nSb型为-2%/ C(最大)
◼ 当 使用SHS210 霍 尔元 件 时 ,工作在1V 、1 kGs(1Gs=10-4T) 时,输出电压为21～55mV, 偏移电压为±7 %（ 最大）（1.47 ～3.85 mV）。无磁场时偏移电压不变,在弱磁场下工 作不利。偏移电压可以调整为零,但与运算放大 器一样,并不能去除其漂移成分。 ◼ 在恒压条件下性能不好的主要原因为霍尔元件 输入电阻随温度变化和磁阻效应的影响。输入 电阻的温度系数因霍尔元件的材料型号而异, GaAs型为±0.3%／℃(最大),InSb型为-2%／ ℃（最大）
TLO7I TLO7I 6=1V 6V U=6V 2 SHS210 4 OH002 2 图45恒压工作的霍尔传感器电路
图4.5 恒压工作的霍尔传感器电路 ＋ － 2 3 1 V 6 Uc ＝ 1 V s r c c R U I ＝= 1 2 3 4 UH SHS210 TLO71 ＋ － 2 3 6 V 6 Uc ＝ 6 V 1 4 3 2 UH OH002 TLO71