V=un* Eds un为电子迁移率(cm2/*sec) eds=VdSL沟道水平方向场强 代入:V=(pun*Vds)/L 代入:z 2 L τ有了,关键是求Qc,需要分区讨论: 2021/2/21 16
2021/2/21 16 V=n*Eds n为电子迁移率（cm²/v*sec） Eds=Vds/L 沟道水平方向场强 代入： V=（n*Vds）/L 代入： 有了，关键是求Qc，需要分区讨论： n Vd s L = 2
(1)线性区: Vgs-Vtn>vds 设:Vds沿沟道区线性分布 则:沟道平均电压等于Vds/2 由电磁场理论可知:Qc= CoxCoX×EgxW×L 其中: vgs-Vtn)-vas/2 g tox为栅氧厚度 Co为真空介电常数 Cox为二氧化硅的介电常数 W为栅的宽度 L为栅的长度 2021/2/21 17
2021/2/21 17 （1）线性区：Vgs-Vtn>Vds 设：Vds沿沟道区线性分布 则：沟道平均电压等于Vds/2 由电磁场理论可知：Qc=CoCox EgWL 其中： tox 为栅氧厚度 Co为真空介电常数 Cox为二氧化硅的介电常数 W 为栅的宽度 L 为栅的长度 tox Vgs Vtn Vds Eg ( − ) − / 2 =