3、GaAs集成电路 GaAs这类Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中载流子的迁移 率比硅中载流子的迁移率高,通常比掺杂硅要高 出6倍。 GaAs是一种化合物材料,很容易将硅离子注入 到GaAs中形成 MESFET( Metal semi- conduction Field effect transistor)的源区与漏区,且由注入 深度决定 MESFETI的类型。注入深度在500~1000 时是增强型,而1000~2000时是耗尽型4 从工艺上讲GaAs的大规模集成也比较容易实现 目前GaAs工艺存在的问题是它的工艺一致性差, 使其制造成品率远远低于硅集成电路。 2021/2/21
2021/2/21 6 3、 GaAs集成电路 GaAs这类Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中载流子的迁移 率比硅中载流子的迁移率高，通常比掺杂硅要高 出6倍。 GaAs是一种化合物材料，很容易将硅离子注入 到GaAs中形成MESFET（Metal Semi-conduction Field Effect Transistor）的源区与漏区，且由注入 深度决定MESFET的类型。注入深度在500~1000 时是增强型，而1000~2000 时是耗尽型。 从工艺上讲GaAs的大规模集成也比较容易实现。 目前GaAs工艺存在的问题是它的工艺一致性差， 使其制造成品率远远低于硅集成电路。 A A
第二节MOS晶体管的工作原理 MosFet Metal Oxide Semi-conduction Field Effect Transistor),是构成VLSI的基本元件。 简单介绍MOS晶体管的工作原理。 半导体的表面场效应 1、P型半导体 。8。8。。 图1P型半导体 2021/2/21
2021/2/21 7 第二节 MOS晶体管的工作原理 MOSFET（Metal Oxide Semi-conduction Field Effect Transistor），是构成VLSI的基本元件。 简单介绍MOS晶体管的工作原理。 一、半导体的表面场效应 1、P型半导体 图 1 P 型半导体
2、表面电荷减少 图2表面电荷减少 2021/2/21
2021/2/21 8 2、表面电荷减少 图 2 表面电荷减少
3、形成耗尽层 ↓+↓+↓↓↓↓↓ 耗尽层(高阻区) ○○ ) ○○○O 图3形成耗尽层 2021/2/21
2021/2/21 9 3、形成耗尽层 图 3 形成耗尽层 耗尽层（高阻区）
4、形成反型层 ↓ VVVVVV√vy 反型层 图4形成反型层 2021/2/21
2021/2/21 10 4、形成反型层 图 4 形成反型层 反 型 层