有研新材料股份有限公司科技创新项目 淬磁粉能力,但在热挤出磁环用磁粉方面还需要进行更多的适应性硏 究 2014年以后,热挤岀磁环用磁粉唯一供应商—麦格昆磁在热挤 出磁体晶粒取向工艺专利以及所用磁粉晶型结构方面的专利全部过 期,这对我国发展热挤出稀土磁环的生产应用,突破国外在相关领域 的技术垄断提供了难得的机遇;同时该磁粉与磁体的研发对降低重稀 土的使用,促进稀土资源的平衡利用,推动稀土永磁产业升级有十分 重要的意义。 113.8铂族金属电子信息功能材料产业化技术 汽车作为当今世界能源消耗与污染物排放的重要因素之一,其燃 油效率与尾气净化效率成为世界各国政府及科研单位加强研发投入 的重点。汽车氧传感器是汽车电子燃油喷射系统(ECU)的核心器件, 作为氧传感器感应电极的铂电极,其催化活性、氧敏性能、电导率 附着力、抗毒化能力等将直接影响氧传感器的工作性能和使用寿命, 从而直接影响汽车发动机的燃油效率和尾气排放。用于汽车燃油喷射 控制的氧传感器目前已由传统的“管式汽车氧传感器发展为“片式” 汽车氧传感器,目前最新型的为“宽域”片式汽车氧传感器,其使用效 能和控制精度更加精确。在宽域氧传感器中分别作为催化电极、加热 元件、导电引线和触点的铂电极,其性能也将极大地影响氧传感器的 整体性能。目前我国中高档汽车厂商所用的宽域汽车氧传感器全部依 赖于进口,国内汽车氧传感器的研制和生产尚处于起步阶段,而其中 起关键作用的铂电极浆料全部依靠进口,而国产铂电极浆料在产品的 系列化、催化活性和使用寿命方面与国外产品有较大的差距,这导致 该产品长期为国外厂商所垄断 本项目的目的旨在研制用于宽域汽车氧传感器的高性能催化铂 第13页
有研新材料股份有限公司 科技创新项目 第 13 页 淬磁粉能力，但在热挤出磁环用磁粉方面还需要进行更多的适应性研 究。 2014 年以后，热挤出磁环用磁粉唯一供应商—麦格昆磁在热挤 出磁体晶粒取向工艺专利以及所用磁粉晶型结构方面的专利全部过 期，这对我国发展热挤出稀土磁环的生产应用，突破国外在相关领域 的技术垄断提供了难得的机遇；同时该磁粉与磁体的研发对降低重稀 土的使用，促进稀土资源的平衡利用，推动稀土永磁产业升级有十分 重要的意义。 1.1.3.8 铂族金属电子信息功能材料产业化技术 汽车作为当今世界能源消耗与污染物排放的重要因素之一，其燃 油效率与尾气净化效率成为世界各国政府及科研单位加强研发投入 的重点。汽车氧传感器是汽车电子燃油喷射系统(ECU)的核心器件， 作为氧传感器感应电极的铂电极，其催化活性、氧敏性能、电导率、 附着力、抗毒化能力等将直接影响氧传感器的工作性能和使用寿命， 从而直接影响汽车发动机的燃油效率和尾气排放。用于汽车燃油喷射 控制的氧传感器目前已由传统的“管式”汽车氧传感器发展为“片式” 汽车氧传感器，目前最新型的为“宽域”片式汽车氧传感器，其使用效 能和控制精度更加精确。在宽域氧传感器中分别作为催化电极、加热 元件、导电引线和触点的铂电极，其性能也将极大地影响氧传感器的 整体性能。目前我国中高档汽车厂商所用的宽域汽车氧传感器全部依 赖于进口，国内汽车氧传感器的研制和生产尚处于起步阶段，而其中 起关键作用的铂电极浆料全部依靠进口，而国产铂电极浆料在产品的 系列化、催化活性和使用寿命方面与国外产品有较大的差距，这导致 该产品长期为国外厂商所垄断。 本项目的目的旨在研制用于宽域汽车氧传感器的高性能催化铂
有研新材料股份有限公司科技创新项目 电极浆料、加热铂电极浆料、引线铂电极浆料和触点铂电极浆料,实 现高性能铂电极浆料的国产化,打破国外公司在该领域的技术垄断, 促进我国汽车氧传感器实现国产化。此外,由于铂电极具有特殊电性 能和催化活性,是传感技术中必不可少的敏感材料,铂电极浆料的市 场前景不只限于汽车用氧传感器,它的应用领域广泛,是环境控制、 污染物防治、清洁能源领域的重要组件之 1139集成电路65纳米制程用高纯铂合金靶材 随着半导体集成电路集成度的提高和电路规模的增大,电路中单 元器件尺寸不断缩小,图形特征尺寸成为每一代集成电路技术的特有 表征。这一发展过程一直遵循著名的“摩尔定律,每2~3年集成度 提高两倍,器件特征尺寸按比例缩小,工艺技术更新一代。目前,国 际主流生产工艺技术已经由90纳米工艺技术过渡到65纳米技术,而 特征尺寸的减小促使用于晶体管形成和加工的半导体材料得到发展。 随着特征尺寸的减小,广泛用于特征尺寸为130nm和9onm的钴 基、钛基硅化物的触头已经不再适用,应用在65nm及以下特征尺寸 的硅化物主要为Pt硅化物触头。在65nm特征尺寸,主要采用应用 应变硅( Strained silicon)技术制作晶体管器件(如,CMOS器件), 其运转速度要远远大于用常规Si制作的等同器件。利用Pt合金在应 变晶格半导体衬底上形成65nm间隙的晶体管,这样制成的金属-半导 体器件具有低功耗、大电流、超高速等特点。Pt合金靶材成为制造高 性能的65nm甚至更小特征尺寸的IC器件的必需材料。 高纯Pt合金靶材项目的实施和产业化,主要是通过开展真空熔 炼、锻造轧制及热处理、精确成型、复合以及精密加工等技术,利用 具有自主知识产权的高性能靶材制备技术实现靶材国产化,形成批量 供货能力,满足国内高端市场的需求,为其提供重要的新材料,降低 第14页
有研新材料股份有限公司 科技创新项目 第 14 页 电极浆料、加热铂电极浆料、引线铂电极浆料和触点铂电极浆料，实 现高性能铂电极浆料的国产化，打破国外公司在该领域的技术垄断， 促进我国汽车氧传感器实现国产化。此外，由于铂电极具有特殊电性 能和催化活性，是传感技术中必不可少的敏感材料，铂电极浆料的市 场前景不只限于汽车用氧传感器，它的应用领域广泛，是环境控制、 污染物防治、清洁能源领域的重要组件之一。 1.1.3.9 集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材 随着半导体集成电路集成度的提高和电路规模的增大，电路中单 元器件尺寸不断缩小，图形特征尺寸成为每一代集成电路技术的特有 表征。这一发展过程一直遵循著名的“摩尔定律”，每 2～3 年集成度 提高两倍，器件特征尺寸按比例缩小，工艺技术更新一代。目前，国 际主流生产工艺技术已经由 90 纳米工艺技术过渡到 65 纳米技术，而 特征尺寸的减小促使用于晶体管形成和加工的半导体材料得到发展。 随着特征尺寸的减小，广泛用于特征尺寸为 130nm 和 90nm 的钴 基、钛基硅化物的触头已经不再适用，应用在 65nm 及以下特征尺寸 的硅化物主要为 Pt-硅化物触头。在 65nm 特征尺寸，主要采用应用 应变硅（Strained Silicon）技术制作晶体管器件（如，CMOS 器件）， 其运转速度要远远大于用常规 Si 制作的等同器件。利用 Pt 合金在应 变晶格半导体衬底上形成 65nm 间隙的晶体管，这样制成的金属-半导 体器件具有低功耗、大电流、超高速等特点。Pt 合金靶材成为制造高 性能的 65nm 甚至更小特征尺寸的 IC 器件的必需材料。 高纯 Pt 合金靶材项目的实施和产业化，主要是通过开展真空熔 炼、锻造轧制及热处理、精确成型、复合以及精密加工等技术，利用 具有自主知识产权的高性能靶材制备技术实现靶材国产化，形成批量 供货能力，满足国内高端市场的需求，为其提供重要的新材料，降低
有研新材料股份有限公司科技创新项目 生产成本,形成完整产业链。有研亿金新材料有限公司具有超高纯金 属靶材生产加工的雄厚实力,同时具有长期硏制开发稀贵金属材料的 基础,将能形成新的高技术产业,具有良好的经济效益和社会效益。 本项目通过开展技术研发,攻克靶材制造加工难关,形成高纯 Pt合金靶材产业,以满足65nm高端半导体集成电路制造的需求,降 低国内半导体市场的成本,促进国内电子信息产业的技术进步与产业 升级。 113.10圆片级先进封装用超高纯铜靶材 针对集成电路圆片级先进封装工艺需求,研究开发和完善高纯靶 材制备技术和品质控制技术,解决封装技术领域用高纯铜靶材的国产 化供应问题,实现大尺寸、微观组织可控、高强度、高稳定性和长寿 命的高效能溅射靶材生产。开发圆片级先进封装用高纯铜靶材产品, 靶材性能达到国内领先、国际先进水平,满足电子行业客户需求,并 通过考核认证,实现批量稳定供货 集成电路作为信息产业的基础和核心,是国民经济和社会发展的 战略性产业,在推动经济发展、社会进步、提高人民生活水平以及保 障国家安全等方面发挥着重要作用,已成为当前国际竞争的焦点和衡 量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。 随着集成电路制造技术发展,芯片LO数量增加对封装技术提出 了不断提高封装密度和封装效率的要求;同时,现代电子产品越来越 复杂的功能、体积的轻、薄、短、小,也对封装技术提出了不断减小 体积和重量的要求。封装业呈现出向着高密度、多IO数系统封装 (SiP)、高频、大功率、薄型化、微型化、不对称化和低成本化、多 芯片封装、三维立体封装和绿色环保化等方向发展。封装技术的好坏 直接影响到芯片自身性能的发挥。其中主要的配套材料之一为用于 第15页
有研新材料股份有限公司 科技创新项目 第 15 页 生产成本，形成完整产业链。有研亿金新材料有限公司具有超高纯金 属靶材生产加工的雄厚实力，同时具有长期研制开发稀贵金属材料的 基础，将能形成新的高技术产业，具有良好的经济效益和社会效益。 本项目通过开展技术研发，攻克靶材制造加工难关，形成高纯 Pt 合金靶材产业，以满足 65nm 高端半导体集成电路制造的需求，降 低国内半导体市场的成本，促进国内电子信息产业的技术进步与产业 升级。 1.1.3.10 圆片级先进封装用超高纯铜靶材 针对集成电路圆片级先进封装工艺需求，研究开发和完善高纯靶 材制备技术和品质控制技术，解决封装技术领域用高纯铜靶材的国产 化供应问题，实现大尺寸、微观组织可控、高强度、高稳定性和长寿 命的高效能溅射靶材生产。开发圆片级先进封装用高纯铜靶材产品， 靶材性能达到国内领先、国际先进水平，满足电子行业客户需求，并 通过考核认证，实现批量稳定供货。 集成电路作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的 战略性产业，在推动经济发展、社会进步、提高人民生活水平以及保 障国家安全等方面发挥着重要作用，已成为当前国际竞争的焦点和衡 量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。 随着集成电路制造技术发展，芯片 I/O 数量增加对封装技术提出 了不断提高封装密度和封装效率的要求；同时，现代电子产品越来越 复杂的功能、体积的轻、薄、短、小，也对封装技术提出了不断减小 体积和重量的要求。封装业呈现出向着高密度、多 I/O 数系统封装 （SiP）、高频、大功率、薄型化、微型化、不对称化和低成本化、多 芯片封装、三维立体封装和绿色环保化等方向发展。封装技术的好坏 直接影响到芯片自身性能的发挥。其中主要的配套材料之一为用于
有研新材料股份有限公司科技创新项目 PVD镀膜的金属溅射靶材。由于全球电子产品趋于小型化、轻巧化, 从而对封装金属薄膜中的夹杂物及缺陷的要求也越来越高。由于溅射 靶材的性能直接决定了金属薄膜的质量水平,金属薄膜的高品质需求 则对靶材的化学纯度及其微观组织提出了极高的要求。目前,高纯金 属及其合金靶材作为封装的配套材料,要求向高纯度、大面积、细晶 粒的方向发展。目前主要使用Cu、Ti、Au、WTi高纯金属靶材进行 镀膜。其中超高纯Cu靶材是一种技术难度大、附加值高的高技术产 品,但由于国内研究及生产水平的限制,该类材料目前多依赖于进口, 价格十分昂贵。因此,开展本课题的研究具有极其重要的意义。 通过开展技术攻关、形成具有我国自主知识产权的集成电路封装 用高纯Cu靶材制造技术、并建立相关产业。能够使国内集成电路封 装制造企业摆脱长期依赖进口靶材的局面,形成新的高技术产业,有 利于降低国产集成电路的制造成本、增强国产集成电路产品的国际竞 争力。 12项目计划目标 121有研光电 1211总体目标 通过大直径蓝宝石衬底材料科技创新项目的实施,有硏光电将研 制出超75公斤级大直径、高质量蓝宝石晶体,单晶成晶率达到90%。 要求晶体无开裂,无散射颗粒,没有气泡,能用来加工LED衬底片, 该项目计划投资500万元。 通过垂直梯度凝固砷化镓科技创新项目的实施,有研光电将研制 出VGF单晶炉,在此单晶炉上进行Φ4英寸垂直法GaAs单晶生长工 艺的研究,研制出Φ4英寸ⅤGF-GaAs单晶,单晶样片满足外延制造 商要求,该项目计划投资500万元 第16页
有研新材料股份有限公司 科技创新项目 第 16 页 PVD 镀膜的金属溅射靶材。由于全球电子产品趋于小型化、轻巧化， 从而对封装金属薄膜中的夹杂物及缺陷的要求也越来越高。由于溅射 靶材的性能直接决定了金属薄膜的质量水平，金属薄膜的高品质需求 则对靶材的化学纯度及其微观组织提出了极高的要求。目前，高纯金 属及其合金靶材作为封装的配套材料，要求向高纯度、大面积、细晶 粒的方向发展。目前主要使用 Cu、Ti、Au、WTi 高纯金属靶材进行 镀膜。其中超高纯 Cu 靶材是一种技术难度大、附加值高的高技术产 品，但由于国内研究及生产水平的限制，该类材料目前多依赖于进口， 价格十分昂贵。因此，开展本课题的研究具有极其重要的意义。 通过开展技术攻关、形成具有我国自主知识产权的集成电路封装 用高纯 Cu 靶材制造技术、并建立相关产业。能够使国内集成电路封 装制造企业摆脱长期依赖进口靶材的局面，形成新的高技术产业，有 利于降低国产集成电路的制造成本、增强国产集成电路产品的国际竞 争力。 1.2 项目计划目标 1.2.1 有研光电 1.2.1.1 总体目标 通过大直径蓝宝石衬底材料科技创新项目的实施，有研光电将研 制出超 75 公斤级大直径、高质量蓝宝石晶体，单晶成晶率达到 90%。 要求晶体无开裂，无散射颗粒，没有气泡，能用来加工 LED 衬底片， 该项目计划投资 500 万元。 通过垂直梯度凝固砷化镓科技创新项目的实施，有研光电将研制 出 VGF 单晶炉，在此单晶炉上进行 Φ4 英寸垂直法 GaAs 单晶生长工 艺的研究，研制出 Φ4 英寸 VGF-GaAs 单晶，单晶样片满足外延制造 商要求，该项目计划投资 500 万元
有研新材料股份有限公司科技创新项目 12.12经济目标 大直径蓝宝石科技创新项目完成后,可加工LED衬底片,并配 备掏棒设备,能将生长的晶体加工成晶棒产品。随着后续建设蓝宝石 单晶生产线,预计年产蓝宝石晶体5吨,可加工蓝宝石晶片15万片, 每片晶片按8美元计算,年经济效益预测如下:销售额120万美元(约 合人民币756万元);利润186万美元(约合人民币117.18万元) 利润率155%。 垂直梯度凝固砷化镓科技创新项目完成后,预计后续再新增VGF 砷化镓单晶炉30台进行产业化升级,预计年产Φ4英寸GaAs单晶片 8万片。按每片晶片240元计算,年经济效益预测如下:销售额1920 万元;利润200万元;利润率10.49 1213技术、质量指标 蓝宝石衬底材料 (1)技术指标 ①完整蓝宝石晶体重量≥75kg ②激光检查无气泡 ③晶体在200-5000nm波长范围光透过率超过85% ④位错密度EPD<100cm2 ⑤成晶率达到90%,可掏棒部分达到80% (2)专利 申请专利2项。 垂直梯度凝固砷化镓 (1)技术指标 Φ4英寸Ⅴ GF GaAs单晶载流子浓度、迁移率、位错密度等参数 满足国内外主要LED外延制造商的要求,实现稳定批量生产能力 第17页
有研新材料股份有限公司 科技创新项目 第 17 页 1.2.1.2 经济目标 大直径蓝宝石科技创新项目完成后，可加工 LED 衬底片，并配 备掏棒设备，能将生长的晶体加工成晶棒产品。随着后续建设蓝宝石 单晶生产线，预计年产蓝宝石晶体 5 吨，可加工蓝宝石晶片 15 万片， 每片晶片按 8 美元计算，年经济效益预测如下：销售额 120 万美元（约 合人民币 756 万元）；利润 18.6 万美元（约合人民币 117.18 万元）； 利润率 15.5%。 垂直梯度凝固砷化镓科技创新项目完成后，预计后续再新增 VGF 砷化镓单晶炉 30 台进行产业化升级，预计年产 Φ4 英寸 GaAs 单晶片 8 万片。按每片晶片 240 元计算，年经济效益预测如下：销售额 1920 万元；利润 200 万元；利润率 10.4%。 1.2.1.3 技术、质量指标 蓝宝石衬底材料 （1）技术指标 ①完整蓝宝石晶体重量≥75kg ②激光检查无气泡 ③晶体在200-5000nm波长范围光透过率超过85% ④位错密度EPD＜1000cm-2 ⑤成晶率达到 90%，可掏棒部分达到 80% （2）专利 申请专利2项。 垂直梯度凝固砷化镓 （1）技术指标 Φ4 英寸 VGF GaAs 单晶载流子浓度、迁移率、位错密度等参数 满足国内外主要 LED 外延制造商的要求，实现稳定批量生产能力