版权©2014，版权保留，侵犯必究 CMOS OTA:fnd VDD A1 nd 2fnd 4× VIN- p(A)↑ 2× VOUT 0° -90 9m3 Vss 0atcdanW)ardan 复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -057 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -057- M1 M3 M4 vOUT M2 Cn2 VDD VSS M5 IB 3 1 2 CL vIN+ vINCMOS OTA：fnd nd nd 90 arctan( ) arctan( ) 85 2 GBW GBW PM f f = °− + ≈ ° − ° 90 0° f f AV 4× 2× nd f 2 nd f m3 nd 2π n2 g f C = φ( ) A
版权©2014，版权保留，侵犯必究 CMOS单级OTA:设计1 已知：GBW=100MHz和C,=2pF 工艺：Lnmn=0.35μm、K,=60μAN2和K。=30μAW2 求：losW、L gm 2TTC.GBW=1.2 mS Ves-V =0.2 V Vas-VI=9m= 0.12mA 2 10 W Ips -=100 L。=Lm=1μm考虑增益！ L K (Ves-VI) W,=50um、W。=100um 复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -058- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -058- 工艺： 、 和 已知： 和 CMOS单级OTA：设计 1 GBW = 100 MHz CL = 2 pF Lmin = 0.35 μm 2 n ' K = 60 μA/V 2 p ' K = 30 μA/V DS I W L m L GS T m D GS T p n S m DS 2 GS T 2π 1.2 mS 0.12 mA 2 10 100 0.2 V ' ( ) 1 μm g C GBW V V g I g W I V V L V L K L V = = − = − = = = = = = = − Wn = 50 μm Wp = 100 μm 求： 、 、 、 考虑增益！
版权©2014，版权保留，侵犯必究 目录 。单级OTA的设计 ·CMOS密勒OTA的设计 ·GBW和相位裕度的设计 。其他指标：输入范围、输出范围、SR. 复旦大学射频集成电路设计研究小组 -059- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -059- 目录 单级OTA的设计 CMOS密勒OTA的设计 GBW和相位裕度的设计 其他指标：输入范围、输出范围、SR…
版权©2014，版权保留，侵犯必究 CMOS密勒OTA M71:B 两个节点 回阿 Cc 具有高阻抗 VIN+ VOUT 产生两个极点 M2 用C进行分离 M6 M4 复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0510- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -0510- M1 M3 M4 vOUT M2 CL VDD VSS M7 3 1 2 1:B M6 M5 Cc RL Cn1 4 5 vIN- vIN+ CMOS密勒OTA 两个节点 具有高阻抗 产生两个极点 用Cc进行分离 1 4
版权©2014，版权保留，侵犯必究 CMOS密勒OTA:小信号 M7 1:B GBW =1 MHz M5 CL=10 pF ④ VOUT R=10k2 M6 9m1=7.5μS 924=0.03μS Cn1=0.37pF C图 Co =1 pF 名c,餐 9m6=246uS 9L6=20uS /DS1 1.1 HA Ds6=25μA CLn4 =10.2 pF 复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0511 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -0511- m1 o24 n1 c m6 Lo6 Ln4 7.5 μS 0.03 μS 0.37 pF 1 pF 246 μS 20 μS 10.2 pF g g C C g g C = = = = = = = L L 1 MHz 10 pF 10 kΩ GBW C R = = = IDS6 = 25 μA CMOS密勒OTA：小信号 gm1 Cn1 gm6 Cc 1 go24 gLo6 4 CLn4 I DS1 = 1.1 μA M1 M3 M4 vOUT M2 CL VDD VSS M7 3 1 2 1:B M6 M5 Cc RL Cn1 4 5 vIN- vIN+