UDAN UNIVERS 复旦大学电子工程系 陈光梦 第4章 集成放大器
复旦大学电子工程系 陈光梦 第4章 集成放大器
复旦大学电子工程系陈光梦 集成电路 集成电路工艺简介 集成电路的特点 13-12-16 模拟电子学基础 2
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 2 集成电路 集成电路工艺简介 集成电路的特点
复旦大学电子工程系陈光梦 集成电路 将晶体管、场效应管、二极管以及电阻、电容等 元件通过一定的制造工艺制作在同一块半导体基 片上的器件 0 基本材料是单晶硅，可以是P型或N型 通常在一块硅晶片上同时制造几百到几千个集成 电路芯片（管芯），每个管芯经过初测后用划片 机划开，将初测合格的管芯封装后，再经过老化、 测试等工序，就成为集成电路产品。 13-12-16 模拟电子学基础 3
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 3 集成电路 n 将晶体管、场效应管、二极管以及电阻、电容等 元件通过一定的制造工艺制作在同一块半导体基 片上的器件 n 基本材料是单晶硅，可以是P型或N型 n 通常在一块硅晶片上同时制造几百到几千个集成 电路芯片（管芯），每个管芯经过初测后用划片 机划开，将初测合格的管芯封装后，再经过老化、 测试等工序，就成为集成电路产品
复旦大学电子工程系陈光梦 集成电路工艺简介 基本工艺：氧化、掩模、光刻、扩散、外 延、淀积、蒸发等 ,一个完整的制造过程包含一系列掩模、光 刻和扩散过程 13-12-16 模拟电子学基础 4
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 4 集成电路工艺简介 n 基本工艺：氧化、掩模、光刻、扩散、外 延、淀积、蒸发等 n 一个完整的制造过程包含一系列掩模、光 刻和扩散过程
复旦大学电子工程系陈光梦 BJT晶体管的结构 同时制造NPN和PNP两种类型BJT NPN型晶体管 PNP型晶体管（横向晶体管） 集电极 发射极 基极 基极 集电极 发射极 SiO. 基☒ N+ 衬底 隐埋层 外延层 隔离岛 扩散区 13-12-16 模拟电子学基础 5
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 5 BJT晶体管的结构 P N P SiO2 P 集电极 发射极 基极 SiO2 P N P P 基极 集电极 发射极 P 基区 P N+ NPN型晶体管 PNP型晶体管(横向晶体管） 衬底 隐埋层 外延层 隔离岛 扩散区 n 同时制造NPN和PNP两种类型BJT