若欲观察核磁共振信号,只需调节电磁 波的频率ⅴ(即射频)或外磁场强度H,使之 满足共振条件式,即可产生核磁共振。 具体做法有两种: 种是固定射频v,不断改变外磁场强 度(磁场扫描),这种方法称为扫场;另 种是固定石’不断改变ⅴ(频率扫描),这种 方法称为扫频。一般仪器多采用扫场的方法
◼ 若欲观察核磁共振信号，只需调节电磁 波的频率ν(即射频)或外磁场强度H0，使之 满足共振条件式，即可产生核磁共振。 具体做法有两种： 一种是固定射频ν，不断改变外磁场强 度H 0 (磁场扫描)，这种方法称为扫场；另一 种是固定H0，不断改变ν (频率扫描)，这种 方法称为扫频。一般仪器多采用扫场的方法
屏蔽效应( shielding 在外磁场H0的作用 下,氢核外电子云产生 核外电子云 个方向与H相反,大小与 原子核 H0成正比的感应磁场。 感应磁场 该感应磁场对原子核 起屏蔽作用,使原子核实 际所受到的外磁场强度减 核外电子云的屏蔽作用 小
屏蔽效应（shielding） 在外磁场H0的作用 下，氢核外电子云产生一 个方向与H0相反，大小与 H0成正比的感应磁场。 该感应磁场对原子核 起屏蔽作用，使原子核实 际所受到的外磁场强度减 小
化学位移( chemical shift) 分子中不同位置质子(化学环境不同)的核外电子 云密度有差别,实际受到H0的作用不同。屏蔽作用大 小可用屏蔽常数( shielding constant)a表示: hl- 2丌 核外电子云密度增加,σ值增大,核实际受到的 外磁场作用减小,核的共振频率下降。因H所处化学 环境不同而造成的共振频率的变化称为化学位移
化学位移(chemical shift) 分子中不同位置质子(化学环境不同)的核外电子 云密度有差别，实际受到H0的作用不同。屏蔽作用大 小可用屏蔽常数(shielding constant) 表示： ( ) ＝ 1－ 2 H0 核外电子云密度增加， 值增大，核实际受到的 外磁场作用减小，核的共振频率下降。因1H所处化学 环境不同而造成的共振频率的变化称为化学位移
化学位移的表示方法 没有完全裸露的氢核,没有绝对的标准。 相对标准:四甲基硅烷SiCH3)4(TMS)(内标) 位移常数 TMS 0 =试样 标准物 ×10 b CH3-OH 标准物 TMS H准物 试样 10 8.07.06.05.04.03.02.01.00 标准物 低场 高场 高频 低频
化学位移的表示方法 没有完全裸露的氢核，没有绝对的标准。 相对标准：四甲基硅烷 Si(CH3 )4 （TMS）（内标） 位移常数 TMS=0 6 10 标准物 ＝ 试样－ 标准物 6 10 − 标准物 ＝ 标准物 试 样 H H H 低场 高频 高场 低频
影响化学位移的因素 1局部屏蔽( local shielding) 化合物 CHX CHaF CH,OH CH3 Br CHaI CH4 (CH,)4Si 元素xF0C1 BrIHSi X的电 负性 4.03.53.12.82.52.11.8 δ4.263.403.052.682.160.230 相邻基团或原子的电负性增大,屏蔽效应减弱, 氢核δ值增大
影响化学位移的因素 1.局部屏蔽（local shielding) 化合物 CH3 X CH3 F CH3 OH CH3 Cl CH3 Br CH3 I CH4 (CH3 )4 Si 元素X F O Cl Br I H Si X的电 负性 4.0 3.5 3.1 2.8 2.5 2.1 1.8 δ 4.26 3.40 3.05 2.68 2.16 0.23 0 相邻基团或原子的电负性增大，屏蔽效应减弱， 氢核δ值增大