4.1.1N沟道增强型MOSF 2.工作原理 (1)Vs对沟道的控制作用 N 当VGs≤0时 耗尽层 无导电沟道,d、s间加 电压时,也无电流产生 B衬底引线 当0<vGs<Vm时 产生电场,但未形成导电 沟道(反型层),d、s间加电 压后,没有电流产生。 耗尽层 B衬底引线
4.1.1 N沟道增强型MOSFET （1）VGS对沟道的控制作用 当VGS≤0时 无导电沟道， d、s间加 电压时，也无电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P 当0 <VGS <VTN 时 产生电场，但未形成导电 沟道（反型层），d、s间加电 压后，没有电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P 2. 工作原理
4.1.1N沟道增强型MOSF 2.工作原理 (1)Vs对沟道的控制作用 当v6s>VN时 N 耗尽层 在电场作用下产生导电沟 道,d、s间加电压后,将有 B衬底引线 电流产生。 GG vG越大,导电沟道越厚 g vN称为N沟道增强型 MOSFET开启电压 耗尔N型感生沟道(反型层) 必须依靠栅极外加电压才产生反 5B衬底引线 型层的 MOSFET称为增强型件
4.1.1 N沟道增强型MOSFET s g d P B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG N 型感生沟道（反型层） 耗尽层 当VGS >VTN 时 在电场作用下产生导电沟 道，d、s间加电压后，将有 电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VGS越大，导电沟道越厚 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VTN 称为N沟道增强型 MOSFET开启电压 （1）VGS对沟道的控制作用 2. 工作原理 必须依靠栅极外加电压才能产生反 型层的MOSFET称为增强型器件
V DD 2.工作原理 VGG (2)V对沟道的控制作用 g 当v6s一定(vGs>)时 N 65↑石↑→沟道电位梯度↑ 耗尽层 →靠近漏极d处的电位升高 5B衬底引线 →>电场强度减小→>沟道变薄 g N 耗尽层 B衬底引线 整个沟道呈楔形分布
2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 →靠近漏极d处的电位升高 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P →电场强度减小 →沟道变薄 当VGS一定（VGS >VTN ）时， VDS→ID →沟道电位梯度 iD O vDS 整个沟道呈楔形分布 VDD
2.工作原理 VGG (2)V对沟道的控制作用 g 当v6s一定(vGs>)时 N vs↑>b↑→沟道电位梯度↑ 耗尽层 当vs增加到使vp=VN时 B衬底引线 在紧靠漏极处出现预夹断。 GG g A预夹断点 耗尽层 P B衬底引线 在预夹断处 VGD GS VDS
s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD 当VDS增加到使VGD=VTN 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 iD O vDS A 预夹断点 在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VTN （2）VDS对沟道的控制作用 当VGS一定（VGS >VTN ）时， VDS→ID →沟道电位梯度 2. 工作原理
2.工作原理 (2)V对沟道的控制作用 预夹断后,V个→夹断区延长 →沟道电阻个→而基本不变 耗尽层 夹断区 B衬底引线 ID 可变 饱和区一 电阻区 GG s<Gs-hios≥VGs-NB g 预夹断Gs=VGs>VnN 临界点 耗尽层 P 截止区、vGs≤<VN B衬底引线
iD O vDS 截止区 vGS＜VTN 可变 电阻区 vDS < VGS－VT 饱和区 vDS≥VGS－VTN 预夹断 B vGS＝VGS＞VTN A 临界点 预夹断后，VDS→夹断区延长 →沟道电阻 →ID基本不变 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD 夹断区 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD （2）VDS对沟道的控制作用 2. 工作原理