3.六方密堆积:hcp 第三层与第 层对齐,产生 ABAB.方式。 配位数:12 机学电等数 空间占有率: 74.05
3.六方密堆积：hcp 配位数：12 空间占有率： 74.05% 第三层与第一 层对齐，产生 ABAB…方式
密堆积层间的两类空隙 四面体空隙:一层的三个球与上或下层 密堆积的球间的空隙。 机学电等数
密堆积层间的两类空隙 •四面体空隙：一层的三个球与上或下层 密堆积的球间的空隙
八面体空隙:一层的三个球与错位排列的 另一层三个球间的空隙 面心立方点阵 机学电等数
•八面体空隙：一层的三个球与错位排列的 另一层三个球间的空隙。 面心立方点阵
101.3晶体类型 晶体的分类 组成粒子间 物理性质 粒子作用力熔沸点硬度/熔融导例 电性 金属晶体原子金属键高低大小 离子 K 机学电等数 原子晶体原子共价键高大差S0O2 离子晶体离子离子鍵/高 大 好NaCl 分子晶体分子 分子间 力 低 差千冰
晶体的分类 物理性质 组成 粒子 粒子间 作用力 熔沸点 硬度 熔融导 电性 例 金属晶体 原子离子 金属键 高低 大小 好 Cr, K 原子晶体 原子 共价键 高 大 差 离子晶体 离子 离子键 高 大 好 NaCl 分子晶体 分子 分子间力 低 小 差 干冰 SiO2 10.1.3 晶体类型
§10.2金属晶体 102.1金属晶体的结构 令10.2.2金属键理论
10.2.1 金属晶体的结构 §10.2 金属晶体 10.2.2 金属键理论