非晶电子衍射花样的几何特征及标定 -0.346nm 5nm 3 nm 5 HRTEM images of(a)CNo.09 and(b)CAlo2sNo26 films.The insets show their FFT spectra. Y.F.Han,T.Fu,Y.G.Shen,Al-induced fullerene-like nanostructures in C-Al-N thin films, 11 Materials Letters 63(2009)2479-2482
非晶电子衍射花样的几何特征及标定 11 Y.F. Han, T. Fu, Y.G. Shen, Al-induced fullerene-like nanostructures in C–Al–N thin films, Materials Letters 63 (2009) 2479–2482. HRTEM images of (a) CN0.09 and (b) CAl0.25N0.26 films. The insets show their FFT spectra
单晶电子衍射花样的产生及几何特征 电子束 [uvwj 2.0.2 2-22 22.0 2.0 2.2.-2 2.0.-2 2.-2.-2 ,0a*, 2.-1 10.-1 0.0 0-2 0.2.0 0-20■ 0.2.-2 (uW),零层倒易截面 0,-2,-2 -1.0 2.0.0 12
单晶电子衍射花样的产生及几何特征 12 -2,2,2 0,2,2 -1,1,2 2,2,2 -2,0,2 1,1,2 0,0,2 -1,-1,2 -1,2,1 2,0,2 -2,1,1 1,2,1 -2,-2,2 1,-1,2 0,-2,2 0,1,1 -1,0,1 2,1,1 -2,2,0 2,-2,2 -2,-1,1 1,0,1 0,-1,1 0,2,0 -1,1,0 2,2,0 -1,-2,1 2,-1,1 -2,0,0 1,-2,1 1,1,0 -1,-1,0 -1,2,-1 2,0,0 -2,1,-1 1,2,-1 -2,-2,0 1,-1,0 0,-2,0 0,1,-1 -1,0,-1 2,1,-1 -2,2,-2 2,-2,0 -2,-1,-1 1,0,-1 0,-1,-1 0,2,-2 -1,1,-2 2,2,-2 -1,-2,-1 2,-1,-1 -2,0,-2 1,-2,-1 1,1,-2 0,0,-2 -1,-1,-2 2,0,-2 -2,-2,-2 1,-1,-2 0,-2,-2 2,-2,-2 a* b* c* Zone axis : [0,0,0] 电子束 [uvw] (uvw)* 0零层倒易截面
单晶电子衍射花样的产生及几何特征 单晶电子衍射花样就是(uvw),零层倒易截面的放大像 BT110JFN 入粉电子束 7Niio2 CHYNI-C110] 受瓦尔德球 12 g60A(4w%-[110 2 面 Li2 00 000y 002 i径 110 2 雷射花 a 13
单晶电子衍射花样的产生及几何特征 13 单晶电子衍射花样就是(uvw)* 0零层倒易截面的放大像
单晶电子衍射花样的产生及几何特征 电子束 底片 行射线 衍射环 倒易球面 C* 入射线 002 022 202 222 反射球 X-ray ●111 000 020 6* 200 220 a* 倒易点阵 14
X-ray 电子束 14 单晶电子衍射花样的产生及几何特征 a* 倒易点阵 b* c*
单晶电子衍射花样的产生及几何特征 Poly-crystal Single crystal R R R 5 Jnm (hkl)only Both (hkl)&[uvw] 15 Cubic system
15 单晶电子衍射花样的产生及几何特征