3)共射电流放大系数 △ 4)共基电流放大系数 △Ⅰ c=△LE
3) 共射电流放大系数 4) 共基电流放大系数 B C I I = E C I I =
3一般模型 1)指数模型 E EBS/e? EB ≈C1E alES 2)简化电路模型 C B B C BE(on) BIB E
3 一般模型 1) 指数模型 2) 简化电路模型 T BE T BE T BE T BE V V S V V C E EBS V V EBS V V E EBS I I I e I e I I e I e = = = − 1 C B E + - + - E B C VBE(on) - + - ßIB IB IC
22晶体三极管的其他工作模式 1饱和模式:B-E加正偏,B-C加正偏 1)内部载流子传输过程 BE 0 V BC 01E F F 发射极→集电极正向传输 2VDE=0 VRC>O R - -CIR 集电极→发射极反向传输
2.2 晶体三极管的其他工作模式 1 饱和模式 ：B-E加正偏，B-C加正偏 1）内部载流子传输过程 ① VBE>0 VBC=0 IF ——αIF 发射极→ 集电极 正向传输 ② VBE ＝0 VBC>0 IＲ ——αIR 集电极→发射极 反向传输
R N 饱和模式乙Z管中的载流子传输 B R R
+_ I C I B N + PN ．．． ． ． ．．． ．． ．．． I F αI F α R I R I R I E -+ R1 R2 饱和模式NPN 管中的载流子传输
*1LL同时受两个结正偏控制 2VBC个→小R↑→IC,LE↑ *3正,反向传输的载流子在基区均有复合, 且增加了I中的空穴电流成分即I↑ IR↑→>1B个个 EF aRR Ic=alF-lR
*1 IC IE同时受两个结正偏控制 *2 VBC↑→IR↑→ IC ， IE ↑ *3 正，反向传输的载流子在基区均有复合， 且增加了IR中的空穴电流成分 即 IR ↑ IR↑→ IB ↑↑ C F R E F R R I I I I I I = − = −