2)简化电路模型 (硅)Va=07 VV=0.4V CES 0.3V 饱和条件IB>lBs B Vcrs<03V VCE VCR NEB NEB -Vro BES( E
2） 简化电路模型 （硅） VBES=0.7V VBCS=0.4V VCES=0.3V 饱和条件 IB＞IBS VCES＜0.3V （ VCE= VCB -VEB= VEB -VBC） + - + - VBES VCES B C E
2截止模式 1)截止条件 B-E反偏,B-C反偏 ≈0IB≈0c≈0 2)电路模型
2 截止模式 1）截止条件 B-E反偏，B-C反偏 IE≈0 IB≈0 IC≈0 2）电路模型 B C E
2.4晶体三极管的特性曲线 输入特性曲线族 IR(uA) 1200 UcrEOV 1000 UcE=5V 800 600 400 00 UHE(V) 0.10.20.30.40.5 图1-19晶体管输入特性曲线族
2.4 晶体三极管的特性曲线 一.输入特性曲线族
二输出特性曲线族 Ic(mA) 1200A 25 1000gA 20 800aA 15 600μA 10 400A 200pA IH=O UIE(V) 68101214161820 (a)
二.输出特性曲线族