E EN EPEN EP R2 C CPCN2 CNI CNI CP CNICBO CN2 +IcBO CN Iox +I e CI BN BN B EP RI EN
R2+_+_ R1 I B · · · · N + PICN2 · · · · ICP N IEP · ICN1 IEN I CI E I C=ICP+ICN2+ICN1 = ICN1+ICBO = ICN+ICBO IE= IEN= ICN+IBN = I C+I B I E=IEN+IEP≈ IEN (IEN﹥﹥ IEP ) IBN
2)复合和扩散:发射区电子→基区 ①少数与空穴复合一lp ②大多数在基区中继续扩散到达靠近集电 结的一侧 CNI 3)收集: ①集电结反偏阻止集电区多子电子向基区 ②有利于基区扩散过来的电子收集到集电区 而形成ICN(LCN) 少子漂移电流IcBo(=cp+lcN2)
2) 复合和扩散：发射区电子→基区 ①少数与空穴复合—IBP ②大多数在基区中继续扩散到达靠近集电 结的一侧—ICN1 3) 收集： ①集电结反偏阻止集电区多子电子向基区 ②有利于基区扩散过来的电子收集到集电区 而形成ICN(ICN1) 少子漂移电流 ICBO (=ICP+ICN2)
2)静态直流电流 E ENEN EN >> EP CPCN2CN1CNICBO CN CBO CBO CPCN2 为反向饱和电流 e leN ICNTIBPICTIB *VB增加,I增加,I增加 ⅣB增加,IB略减小基区宽度调制效应 (集电结电压调制效) C主要受VB控制
2) 静态直流电流 IE=IEN+IEP≈ IEN (IEN﹥﹥IEP) IC=ICP+ICN2+ICN1= ICN1+ICBO = ICN+ICBO ICBO =ICP+ICN2 为反向饱和电流 IE= IEN= ICN+IBP = IC+IB * VBE增加， IB增加，IC增加 |VBC|增加， IB略减小——基区宽度调制效应 （集电结电压调制效） IC主要受VBE控制
2电流传输方程 1)共基直流电流放大系数 C (c=IoN+IcBo) E ≈(当1c<<l时) 1,+I E E CBO CBO CBO
2 电流传输方程 1) 共基直流电流放大系数 ( ) ( ) E C B CBO C E C C CN CBO E CN I I I I I I I I I I I I = + = = + 当 时 ( ) C B CBO C C B CBO C E CBO I I I I I I I I I I − + − = = + + = + 1 1 1
2)共射直流电流放大系数 令B C C 1=2+(+b CBO BlB+Ic CEO CcEo=(1+B) ycBo丿 l≈B(l CEO B=C 极管具有电流放大作用 B
2) 共射直流电流放大系数 ( ) ( ( ) ) ( ) 三极管具有电流放大作用 令 B C C B CEO C B CEO CEO CBO C B CBO I I I I I I I I I I I I I = = + = + = + + − = 1 1 1