第2章晶体三极管
第2章 晶体三极管
*1.晶体三极管的结构及符号 E结 C结 B (c) E C E结 C结 B (d) 图1-9晶体三极管的结构示意图及符号
*1.晶体三极管的结构及符号
(1)晶体三极管组成: 两个结,三个区,三个极 (2)晶体三极管内部结构: 发射区进行高掺杂,多子浓度很高。 基区做得很薄,掺杂少,多子浓度很低 集电结面积大于发射结面积 E C E结 C结 B
（1）.晶体三极管组成 ： 两个结，三个区，三个极 （2） 晶体三极管内部结构： 发射区进行高掺杂，多子浓度很高。 基区做得很薄，掺杂少，多子浓度很低。 集电结面积大于发射结面积
*2晶体三极管的工作模式: 放大:发射结正偏,集电结反偏 饱和:发射结正偏,集电结正偏 截止:发射结反偏,集电结反偏 *晶体三极管的主要特性与工作模式有关
*2.晶体三极管的工作模式： 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 * 晶体三极管的主要特性与工作模式有关
2.1放大状态下晶体三极管的工作原理 1.内部载流子运动:满足内部和外部条件下,内部 载流子运动有三个过程 1)发射:LE=+lp 发射区多子电子通过阻挡层形成IN 基区多子空穴通过阻挡层形成Ip E一TENP~1EN IN:发射区电子→基区 Ip:基区空穴→发射区全部被发射区电 子复合掉
2.1 放大状态下晶体三极管的工作原理 1. 内部载流子运动：满足内部和外部条件下，内部 载流子运动有三个过程 1）发射：IE=IEN+IEP 发射区多子电子通过阻挡层形成 IEN 基区多子空穴通过阻挡层形成 IEP IE=IEN+IEP≈IEN IEN ：发射区电子→基区 IEP ：基区空穴→发射区:全部被发射区电 子复合掉