西安交通大学电力电子与新能源技术研究中(PENE 124电力二极管的主要类型 >1.普通二极管( General Purpose Diode) 又称整流二极管( Rectifier Diode) >多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中 >其反向恢复时间较长,一般在5μs以上,这在开 关频率不高时并不重要 >正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,分习 别可达数千安和数千伏以上 M PEN 引章第36页
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 PENEC 第1章第36页 1.2.4 电力二极管的主要类型 ➢ 1. 普通二极管（General Purpose Diode） ➢又称整流二极管（Rectifier Diode） ➢多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 ➢其反向恢复时间较长，一般在5s以上，这在开 关频率不高时并不重要 ➢正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分 别可达数千安和数千伏以上 ■
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中(PENE 124电力二极管的主要类型 2.快恢复二极管( Fast Recovery Diode FRD) >恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(5μs 以下)的二极管,也简称快速二极管 工艺上多采用了掺金措施 有的采用PN结型结构 有的采用改进的PN结构 PENEC 第37页
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 PENEC 第1章第37页 1.2.4 电力二极管的主要类型 ➢ 2. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode— — FRD） ➢恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5s 以下）的二极管，也简称快速二极管 ➢工艺上多采用了掺金措施 ➢有的采用PN结型结构 ➢有的采用改进的PiN结构 ■
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中(PENE 124电力二极管的主要类型 采用外延型PN结构的的快恢复外延二极管(Fast Recovery Epitaxial Diodes--FRED),其反向 恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低 (09V左右),但其反向耐压多在400V以下 〉从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级 前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在 100ns以下,甚至达到20~30ns。 M PEN 第38页
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 PENEC 第1章第38页 1.2.4 电力二极管的主要类型 ➢ 采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其反向 恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低 （0.9V左右），但其反向耐压多在400V以下 ➢ 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在 100ns以下，甚至达到20~30ns。 ■
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中(PENE 124电力二极管的主要类型 >3.肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管 称为肖特基势垒二极管( Schottky Barrier Diode-SBD),简称为肖特基二极管 >20世纪80年代以来,由于工艺的发展得以在电力 电子电路中广泛应用 >肖特基二极管的弱点 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足 要求,因此多用于200V以下 反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损 耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度 M PEN 引章第39页
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 PENEC 第1章第39页 1.2.4 电力二极管的主要类型 ➢ 3. 肖特基二极管 ➢以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管 称为肖特基势垒二极管 （ Schottky Barrier Diode——SBD），简称为肖特基二极管 ➢20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力 电子电路中广泛应用 ➢ 肖特基二极管的弱点 ➢当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足 要求，因此多用于200V以下 ➢反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损 耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度 ■
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中(PENE 124电力二极管的主要类型 >肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短(10~40ns) 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 在反向耐压较低的情况下其正向压降也很 小,明显低于快恢复二极管 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极 管还要小,效率高 M PEN 引章第40页
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 PENEC 第1章第40页 1.2.4 电力二极管的主要类型 ➢ 肖特基二极管的优点 ➢反向恢复时间很短（10~40ns） ➢正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 ➢在反向耐压较低的情况下其正向压降也很 小，明显低于快恢复二极管 ➢其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极 管还要小，效率高 ■