Magnetic drum storage(1932发明) 磁头与鼓筒表面保持微小而恒定的间隙(0.02~以 下)并沿鼓筒轴线均匀排列 ·BM650系列计算机中的主存储器，1953~1962 磁鼓长12英寸，12500转/S,每支可以保存1万个字符( 不到10K
Magnetic drum storage（1932发明） • 磁头与鼓筒表面保持微小而恒定的间隙(0.02~以 下)并沿鼓筒轴线均匀排列 • IBM 650系列计算机中的主存储器，1953～1962 – 磁鼓长12英寸，12500转/S，每支可以保存1万个字符( 不到10K)
存储器的分类一按存取方式 USTC 随机存储器RAM(Random Access Memory) 一存储器中任何存储单元的内容都能随机存取 ·存取时间与存储单元的物理位置无关。 如主存储器 由于存取原理的不同，又分为静态RAM和动态 RAM. ·SRAM以触发器原理寄存信息 。 DRAM以电容充放电原理寄存信息 ·SDRAM? ·SSRAM? DRAM was patented in 1968 by Robert Dennard at IBM
存储器的分类—按存取方式 • 随机存储器RAM（Random Access Memory） – 存储器中任何存储单元的内容都能随机存取 • 存取时间与存储单元的物理位置无关。 • 如主存储器 – 由于存取原理的不同，又分为静态RAM和动态 RAM。 • SRAM以触发器原理寄存信息 • DRAM以电容充放电原理寄存信息 • SDRAM? • SSRAM? – DRAM was patented in 1968 by Robert Dennard at IBM
存储器的分类一按存取方式 USTC 只读存储器ROM(Read Access Memory) 一 只能对其存储的内容读出，不能对其重新写入的存储 器。 -掩模型只读存储器MROM(Masked ROM) 采用掩模工艺，把原始信息记录在芯片中，一旦制成就无法更 改。 ·可编程只读存储器PROM(Programmable ROM) 可擦除可编程只读存储器EPROM(Erasable Programmable ROM) -1 电可擦除可编程的只读存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) -快擦型存储器Flash Memory ·在线编程，速度比EEPROM要快得多
存储器的分类—按存取方式 • 只读存储器ROM（Read Access Memory） – 只能对其存储的内容读出，不能对其重新写入的存储 器。 – 掩模型只读存储器MROM（Masked ROM） • 采用掩模工艺，把原始信息记录在芯片中，一旦制成就无法更 改。 • 可编程只读存储器PROM（Programmable ROM） – 可擦除可编程只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM） – 电可擦除可编程的只读存储器EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM） – 快擦型存储器Flash Memory • 在线编程，速度比EEPROM要快得多
存储器的分类一按存取方式 ·串行访问存储器 一对存储单元进行读写操作时， 需按其物理位置 的先后顺序寻找地址，则这种存储器叫做串行 访问存储器。如磁带。也叫顺序存取存储器。 直接存取存储器。 一如磁盘 磁盘
存储器的分类—按存取方式 • 串行访问存储器 – 对存储单元进行读写操作时，需按其物理位置 的先后顺序寻找地址，则这种存储器叫做串行 访问存储器。如磁带。也叫顺序存取存储器。 • 直接存取存储器。 – 如磁盘 磁盘
存储器分美 静态RAM(SRAM) 随机存储器（RAM) 动态RAM(DRAM) 主存储器 掩模式ROM 可编程式PROM 只读存储器（ROM) 可擦写式EPROM 电擦写式EEPROM 存储器 缓冲存储器 磁盘 辅存储器 磁带 存储器 目前主要应用 光盘 SRAM Cache DRAM 计算机主存储器（内存 ROM 快擦型存储器Flash Memory 固定程序，微程序控制器存储器 PROM 用户自编程序，用于工业控制机或电器中 EPROM 用户编写并修改程序或产品试制阶段编程序 E2PROM IC卡存储器 Flash Memory 固态盘（优盘）、IC卡
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