§4.1 基带信号波形和频谱 §4.2 高斯噪声干扰下二进制信号检测 §4.3 无码间串扰(ISI)基带传输 §4.4 相关编码(部分响应系统) §4.5 时域均衡 §4.6 眼图 §4.7 扰码和解扰

抽样和量化(Sampling and Quantizing) 脉冲编码调制(PCM) 增量调制(ΔM) 差分脉冲编码调制(DPCM/ADPCM) 数字数据的信源编码

信源（Information Source） 二进制与多进制 确定信号与随机信号 能量信号与功率信号 频谱密度 基带与带通 带宽问题

1.1 通信的概念及分类 1.2 移动通信的发展历程

§6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件

§5.1 MOS结构及MOS二极管 §5.2 MOSFET的基本理论 §5.3 MOSFET的频率特性 §5.4 MOSFET的击穿特性 §5.5 MOSFET的功率特性 §5.6 MOSFET的温度特性 §5.7 MOSFET的开关特性 §5.8 CMOS互补型低功耗电路 §5.9 MOSFET的短沟道效应 §5.10 MOSFET的器件小型化

§4.1 金属半导体结 §4.2 肖特基势垒二极管SBD §4.3 欧姆接触 §4.4 结型场效应晶体管JFET §4.5 肖特基栅场效应晶体管MESFET §4.6 异质结MESFET

§2.1 PN结的基本介绍 §2.2 PN结的耗尽近似理论 §2.3 PN结的直流IV特性 §2.4 PN结的CV特性 §2.5 PN结的瞬态特性 §2.6 PN结的击穿特性 §2.7 异质结与高低结 §2.8 几种典型二极管的应用

§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

§1-1 半导体物理中基本概念 • 载流子：电子与空穴 • 有效质量 • 费米能级与准费米能级 • 热平衡态与非平衡态 • 本征与掺杂 • 施主与受主 • 散射与碰撞 • 漂移与扩散 • 稳态与非稳态 §1-2 半导体材料特性 • 晶格结构 • 密勒指数 • 载流子的概念 • 半导体器件理论基础 §1-3 半导体能带论 • 能带的概念 • 有效质量的概念 • 载流子的概念 • 多能谷半导体 • 态密度 §1-4 平衡载流子和非平衡载流子 §1-5 载流子输运理论