一、非平衡载流子的产生 1．光注入 用波长比较短的光

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

一、热平衡 二、热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 三、本征半导体载流子浓度的计算 四、杂质半导体载流子浓度的计算 五、简并半导体载流子浓度的计算

一、根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 二、浅能级杂质→能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev； 三、深能级杂质→能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev

一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构

一、什么是半导体 二、半导体的分类 三、半导体的地位 四、半导体的发展

（1）Wm=Ws； （2）绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体界面处不存在界面态

1、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性

一、非平衡载流子及其产生 非平衡态：系统对平衡态的偏离

一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想载流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大