4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

3.1 集成电路工艺层 3.2 MOSFET 3.3 CMOS工艺层 3.4 FET阵列设计

2.1 理想开关 2.2 MOSFET开关 2.3 基本的CMOS逻辑门 2.4 CMOS复合逻辑门 2.5 传输门电路 2.6 时钟控制和数据流控制

1.1 全世界半导体市场 1.2 集成电路发展史 1.3 摩尔定律(Moore’s Law) 1.4 集成电路的分类 1.5 数字集成电路设计的挑战 1.6 集成电路设计方法

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

中国科学技术大学：《超大规模集成电路设计（VLSI）》课程教学资源（设计实验）Cadence IC 设计实验（Diva Interactive Verification）

8.1 离散信号的z变换及收敛域 8.2 z逆变换 8.3 z变换的基本性质 8.4 利用z变换解差分方程 8.5 离散系统的系统函数 8.6 序列的傅里叶变换 8.7离散时间系统的频率响应特性

7.1 离散时间信号 7.2 离散时间系统的数学模型 7.3 常系数线性差分方程的求解 7.4 零输入响应与零状态响应 7.5 卷积

4.1 引言 4.2 拉普拉斯变换的定义、 收敛域 4.3 拉氏变换的基本性质 4.4 拉氏变换逆变换 4.5 线性系统复频域分析法 4.6 系统函数(网络函数)H(s) 4.7 由系统函数零极、点分布决定时域特性 4.8 由系统函数零、极点分布决定频响特性 4.10 全通系统与最小相移系统 4.11 线性系统的稳定性 4.12 双边拉氏变换 4.13 拉氏变换与傅氏变换的关系

线性连续系统的描述及其响应 冲激响应和阶跃响应 卷积积分 系统的微分算子方程