非金属的春天 硅与硅芯片 T1000 王慧超宁宇王维赛
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硅 38888888网 Infineon S-GOLD3H PMB8878 硅芯片 基本属性 制备方法 导电机理
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元素符号 电子结构 相对原子质量 28.0855(3) 46.4 熔化焓/kJmo1 密度/gcm3- 2.33 [Ne]3s23p2 711 ←一 比热/Jkg1K1 熔点/℃ 1414 85000 电阻率/μ2cm 沸点/℃ 2355 1.0←- 硬度莫氏) 原子体积/cm3mo1 12.04 1.8←- 电负性Pauling) 786←— 第一电离能/kJ-mol1 元素名称 硅Si 120 ←一第一电子亲和能/kJmo1 原子序数 14 原子半径/pm 1172 Silicon 英文名称 共价半径/pm 112.6 4,2 氧化态（红-最常见） 41(+4) 离子半径/pm 还原电位V 271(4) Sif62→ Si+6F -1.24 发现年代 1823年 吴 生命必需元素 晶体结构 酸碱性
工业多晶硅制作流程 二氧化硅 加膜还原 工业硅 (含有97%的硅) ®洗 99.7~ 四氯化硅 99.95 多晶硅 (SiCl 的硅 如悠 装偏 纯四氯化硅 氢还原 通氯 (精馅， 三氯氢硅 (SiHC I 纯SiHC1, 盐酸处理 头面 氢还隙 硅皖 (SiHo 纯硅烷
工业多晶硅制作流程