结论 ◆加正向电压,很小的电压能产生较大电流,外 加电压很小变化,将引起电流的较大变化。 ◆加反向电压,只能产生微小的反向电流,且反 向电流的大小几乎与反向电压无关。 ◆PN结正向电阻小,反向电阻大,具有单向导 电性。 16
16 结论 ◆加正向电压，很小的电压能产生较大电流，外 加电压很小变化，将引起电流的较大变化。 ◆加反向电压，只能产生微小的反向电流，且反 向电流的大小几乎与反向电压无关。 ◆ PN结正向电阻小，反向电阻大，具有单向导 电性
(3)PN结的V特性 D D s:反向饱和电流 Vr:温度的电压当量 VT=kT/ q K=1.38×1023(J/K) q=16×1019C T绝对温度 当T=300K时,Vr26mV。 17
17 (3) PN 结的V-I 特性 IS ： 反向饱和电流 VT ：温度的电压当量 VT =kT /q K=1.38×10-23（J/K） q=1.6×10-19C T 绝对温度 当T=300K时，VT≈26mV。 = ( −1) T D V v D S i i I e D IS vD
0.1 ip =ls(eT-l) 0.1 e0026=468>>1 加正向电压 ∴卩n≥0.1 1 D D ≈1e 加反向电压 r=e0026=0.021<<1 Vn<O v≤-0.1时,有 D几乎与反向电压的大小无关 18
18 加正向电压 vD>0 S D D T V v D S D V I i v V i I e v V e e T D T ln 0.1 46.8 1 0.026 0.1 0.1 = = D S D V i I v V e e T − − = = − − 0.1 时，有 0.021 1 0.026 0.1 0.1 i D 几乎与反向电压的大小无关 加反向电压 vD<0 = ( −1) T D V v D S i I e
3.PN结的反向击穿 ◆电击穿 反向击 穿 反向电压增加到一定数值时, 反向电流剧增, 这种现象称为反向击穿。(电击穿 击穿时的反向电压称为反向击穿电压VB PN结电击穿的原因: 强电场使自由电子和空穴的数目大大增加, 从而使反向电流急剧增加。 ◆热击穿 PN结温度过高,将结烧坏
19 3. PN 结的反向击穿 反向电压增加到一定数值时， 反向电流剧增， 这种现象称为反向击穿。（电击穿) 击穿时的反向电压称为反向击穿电压VBR ◆电击穿 PN 结电击穿的原因： 强电场使自由电子和空穴的数目大大增加， 从而使反向电流急剧增加。 iD IS vD 反向击 穿 ◆热击穿 PN 结温度过高，将结烧坏
22.3半导体二极管 1.半导体二极管的结构 半导体二极管是由PN结加电极引线封装而成的。 结构有: 点接触型:PN结面积小,极间电容小,高频特性好, 但反向耐压较低,正向电流较小 用于高频检波、开关器件等。 面接触型:ⅨN结面积大,反向耐压较高,正向电流较 大,用于整流。 二极管的符号正极 负极 20
20 2.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构 半导体二极管是由PN结加电极引线封装而成的。 结构有： 点接触型 ：PN结面积小，极间电容小，高频特性好， 但反向耐压较低，正向电流较小。 用于高频检波、开关器件等。 面接触型：PN结面积大，反向耐压较高，正向电流较 大，用于整流。 二极管的符号 正极 (P) 负极 (N)