第3意,场效应管及其基本电路 (2〕UGs固定,os增大,i增大极小。说明在恒流 区,s对i的控制能力很弱。这是因为,当vs较大时, bd增大,靠近漏区的PN结局部变厚,当 Jups-uGSPJUGSoffl (3-3) 时,沟道在漏极附近被局部夹断(称为预夹断) 如图3-4(b)所示。此后,s再增大,电压主要降到局 部夹断区,而对整个沟道的导电能力影响不大。所以 lb的变化对i影响很小
第3章 场效应管及其基本电路 (2)UGS固定，uDS增大，iD增大极小。说明在恒流 区，uDS对iD的控制能力很弱。这是因为，当uDS较大时， UDG增大，靠近漏区的PN结局部变厚，当 |uDS-uGS|>|UGSoff| (3―3) 时，沟道在漏极附近被局部夹断(称为预夹断)， 如图3―4(b)所示。此后， uDS再增大，电压主要降到局 部夹断区，而对整个沟道的导电能力影响不大。所以 uDS的变化对iD影响很小
第3意,场效应管及其基本电路 2.可变电阻区 当4ls很小, os-uGsKJUGSoff时,即预夹断前(如图 3—4(a)所示),ωps的变化直接影响整个沟道的电场强 度,从而影响i的大小。所以在此区域,随着ps的增 大,i增大很快 与双极型晶体管不同,在JFET中,栅源电压uGs对 i上升的斜率影响较大,随着UGs增大,曲线斜率变 小,说明JFT的输出电阻rn(=D) 变大。如图3-3(b)所示
第3章 场效应管及其基本电路 2. 可变电阻区 当uDS很小，|uDS-uGS|<|UGSoff|时，即预夹断前(如图 3―4(a)所示)，uDS的变化直接影响整个沟道的电场强 度，从而影响iD的大小。所以在此区域，随着uDS的增 大， iD增大很快。 与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对 iD上升的斜率影响较大， |UGS|增大，曲线斜率变 小，说明JFET的输出电阻 变大。如图3--3(b)所示 ( ) D DS DS i u r =
第3意,场效应管及其基本电路 >0 DSS 沟道局部夹断 D D GS )图3-4lm对导电沟道的影响(b) D(2V) ups <ugs(of) 可变电阻区 设lasa uGs-uDs =uGs(of) 临界饱和区 G a- uD) >ugo Lugs<Justo饱和区(恒流区) 7.5 Gs>uGs(or 截止区 S(0V)
第3章 场效应管及其基本电路 图3―4 uDS D G S (a) UDS I D ＞0 UGS D G S (b) UDS UGS 沟道局部夹断 I D ＝I DSS P P P P 截止区 且 饱和区（恒流区） 临界饱和区 可变电阻区 ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) G S G S off G S D S G S off G S G S off G S D S G S off G S D S G S off u u u u u u u u u u u u u − − = − G D(2V) S(0V) -4 -5 -6 -7.5 设 uGS(off ) = −7V
第3意,场效应管及其基本电路 3.截止区 当s卜|UGso时,沟道被全部夹断,i=0,故此 区为截止区。若利用JFET作为开关,则工作在截止区, 即相当于开关打开 4击穿区 随着ls增大,靠近漏区的PN结反偏电压 b(=ls-ls)也随之增大 Back
第3章 场效应管及其基本电路 3. 截止区 当|UGS|>|UGSoff|时，沟道被全部夹断，iD =0，故此 区为截止区。若利用JFET作为开关，则工作在截止区， 即相当于开关打开。 4.击穿区 随 着 uDS 增 大 ， 靠 近 漏 区 的 PN 结 反 偏 电 压 uDG(=uDS-uGS)也随之增大
第3意,场效应管及其基本电路 3-2绝缘栅场效应管( IGFET) 3-2-1绝缘栅场效应管的结构 如图3-5所示,其中图(a)为立体结构示意图,图 (b)为平面结构示意图
第3章 场效应管及其基本电路 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―2―1 绝缘栅场效应管的结构 如图3―5所示，其中图(a)为立体结构示意图，图 (b)为平面结构示意图