第3意,场效应管及其基本电路 分类 增强型(E) 按工作方式 耗尽型(D) MOSFET NMOS(N沟道) 按沟道类型 PMOS(P沟道
第3章 场效应管及其基本电路 分类 MOSFET 按沟道类型 按工作方式 增强型(E) 耗尽型(D) NMOS(N沟道) PMOS(P沟道)
第3意,场效应管及其基本电路 源极栅极漏极 G 氧化层 (S0O2) N 耗尽层 L P型衬底 B 图3-5绝缘栅(金属-氧化物-半导体场效应管结构示意图 (a)立体图;(b)剖面图
第3章 场效应管及其基本电路 (a) 源 极 栅 极 漏 极 氧化层 (SiO2 ) B P型衬底 W N ＋ N ＋ L 耗 尽 层 A1层 S G D 图3―5绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 (a)立体图；(b)剖面图
第3意,场效应管及其基本电路 G 绝缘层SO2) N 半导体 P型硅衬底 衬底引绑 (b) 图3-5绝缘栅(金属-氧化物-半导体场效应管结构示意图 (a)立体图;(b)剖面图
第3章 场效应管及其基本电路 图3―5绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 (a)立体图；(b)剖面图 S G D N ＋ N ＋ P型硅衬底 绝缘层(SiO2 ) 衬底引线B (b) 半导体
第3意,场效应管及其基本电路 3-2-2N沟道增强型 MOSFET(EnhancementNMOSFET 、导电沟道的形成及工作原理 如图3-6所示,若将源极与衬底相连并接地,在 栅极和源极之间加正压Uos’在漏极与源极之间施加正 压UDs’我们来观察ls变化时管子的工作情况
第3章 场效应管及其基本电路 3―2―2N沟道增强型 MOSFET(EnhancementNMOSFET) 一、导电沟道的形成及工作原理 如图3―6所示，若将源极与衬底相连并接地，在 栅极和源极之间加正压UGS，在漏极与源极之间施加正 压UDS，我们来观察uGS变化时管子的工作情况
第3意,场效应管及其基本电路 DS D AAAAAAI N B G 导电沟道 S P型衬底 B C (b) 图3-—6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号
第3章 场效应管及其基本电路 图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号 B (b) N＋ UDS 导电沟道 P型衬底 UGS N＋ D G S (c) B