第3意,场效应管及其基本电路 第3章场效应管及其基本电路 3-1结型场效应管 3-2绝缘栅场效应管(GFET 3-3场效应管的参数和小信号模型 3-4场效应管放大器 Back
第3章 场效应管及其基本电路 第3章 场效应管及其基本电路 3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器
第3意,场效应管及其基本电路 JFET利用PN结反向电压对耗尽层厚度的 控制来改变导电沟道的宽度,从而 控制漏极电流的大小。 绝缘栅极场效应管利用栅源电压的 IGFET大小来改变半导体表面感生电荷的 多少,从而控制漏极电流的大小
第3章 场效应管及其基本电路 JFET 利用PN结反向电压对耗尽层厚度的 控制来改变导电沟道的宽度，从而 控制漏极电流的大小。 IGFET 绝缘栅极场效应管利用栅源电压的 大小来改变半导体表面感生电荷的 多少，从而控制漏极电流的大小
第3意,场效应管及其基本电路 3-1结型场效应管 3-1—1结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管( Junction FieldEffecttransistor)简称 JFET,有N沟道JFET和P沟道JET之分。图3-1给出 了JFET的结构示意图及其表示符号
第3章 场效应管及其基本电路 3―1结型场效应管 3―1―1结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管(JunctionFieldEffectTransistor) 简称 JFET，有N沟道JFET和P沟道JFET之分。图3―1给出 了JFET的结构示意图及其表示符号
第3意,场效应管及基基本电路 型 沟 道 P型沟道 图3—1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 (a)N沟道JET;(b)P沟道JFET
第3章 场效应管及其基本电路 (b) D S G P 型 沟 道 N N D G S (a) D S G N 型 沟 道 P P D G S 图3―1 (a)N沟道JFET；(b)P沟道JFET
第3意,场效应管及其基本电路 b=bs(最大) D D b减小 =0 G P S S 图3-2栅源电压UGs对沟道及l的控制作用示意图 (a)Uos=0,沟道最宽,最大; (b)UGs负压增大,沟道变窄,b减小; (c)Uos负压进一步增大,沟道夹断,lb=0
第3章 场效应管及其基本电路 图3―2栅源电压UGS对沟道及ID (a) UGS =0，沟道最宽，ID最大； (b) UGS负压增大，沟道变窄，ID减小； (c) UGS负压进一步增大，沟道夹断，ID =0 D S (c) P P UDS UGS I D D ＝0 S (b) P P UDS I D 减 小 UGS N D G S (a) P P UDS I D ＝I DSS(最 大)