2-3晶体管工作状态分析及 偏置电路 由晶体管的伏安特性曲线可知, 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时,其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态,即放大、截止和饱 和。在实际应用中,根据实现的功能不 同,可通过外电路将晶体管偏置在某 规定状态。因此,在晶体管应用电路分 析中,一个首要问题,便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算
2―3 晶体管工作状态分析及 • 由晶体管的伏安特性曲线可知， 晶体管是一种复杂的非线性器件。在直 流工作时，其非线性主要表现为三种截 然不同的工作状态，即放大、截止和饱 和。在实际应用中，根据实现的功能不 同，可通过外电路将晶体管偏置在某一 规定状态。因此，在晶体管应用电路分 析中，一个首要问题，便是晶体管工作 状态分析以及直流电路计算
2-3—1晶体管的直流模型 在通常情况下,由外电路偏置的 晶体管,其各极直流电流和极间直流电 压将对应于伏安特性曲线上一个点的坐 标,这个点称为直流(或静态)工作点,简 称Q点。在直流工作时,可将晶体管输入、 输出特性曲线(见图2-5、图2—6分别用 图2-8(a)和(b所示的折线近似,这样直 流工作点(BQ,UB)和(UE必然位于 该曲线的直线段上
• 2―3―1晶体管的直流模型 • 在通常情况下，由外电路偏置的 晶体管，其各极直流电流和极间直流电 压将对应于伏安特性曲线上一个点的坐 标，这个点称为直流(或静态)工作点，简 称Q点。在直流工作时，可将晶体管输入、 输出特性曲线(见图2―5、图2―6)分别用 图2--8(a)和(b)所示的折线近似，这样直 流工作点(IBQ,UBEQ)和(ICQ,UCEQ)必然位于 该曲线的直线段上
B C l=0 B BEon) BE CEsar) CE 图2—8晶体管伏安特性曲线的折线近似 (a)输入特性近似; (b)输出特性近似
uBE 0 uCE i C 0 i B (a) UBE(on) UCE(sat) I B ＝ 0 (b) 图2―8 (a)输入特性近似； (b)输出特性近似
由图2-8可知,当外电路使 UBE< UBEC(对硅管约为0.7V,锗管约为 0.3V)时,JB=0,L=0,即晶体管截止 此时,相当于be极间和c,e极间均开路 相应的直流等效模型如图2—9(a)所示
• 由 图 2 ― 8 可 知 ， 当外电路使 UBE<UBE(on)(对硅管约为0.7V，锗管约为 0.3V)时，IB =0，IC =0，即晶体管截止。 此时，相当于b,e极间和c,e极间均开路， 相应的直流等效模型如图2―9(a)所示
(b) 图2—9晶体管三种状态的直流模型 (a)截止状态模型;(b)放大状态模型;(c)饱和状态模型
(a) e b c (b) e b c βI B I B UBE(on) (c) e b c UBE(on) UCE(sat) 图2―9 (a)截止状态模型；(b)放大状态模型；(c)饱和状态模型