第3意,场效应管及其基本电路 3-1—2结型场效应管的特性曲线 一、转移特性曲线 转移特性曲线表达在UD一定时,栅源电压us对 漏极电流i的控制作用,即 ip=fqugs (3-1) 理论分析和实测结果表明,i与gs符合平方律关系, GS DSS (3-2) GOff
第3章 场效应管及其基本电路 3―1―2结型场效应管的特性曲线 一、转移特性曲线 转移特性曲线表达在UDS一定时，栅源电压uGS对 漏极电流iD的控制作用，即 D uGS u DS C i f = = ( ) (3―1) 理论分析和实测结果表明，iD与uGS符合平方律关系， 即 2 (1 ) GSoff GS D DSS U u i = I − (3―2)
第3意,场效应管及其基本电路 式中: DSS 饱和电流,表示s=0时的i值; GOff 夹断电压,表示ls=Us时i为零 转移特性曲线如图3-3(a所示。 为了使输入阻抗大(不允许出现栅流i),也为了使 栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制,PN 结一定要反偏,所以在N沟道JET中,ls必须为负值
第3章 场效应管及其基本电路 式中：IDSS——饱和电流，表示uGS =0时的iD值； UGSoff——夹断电压，表示uGS =UGSoff时iD为零。 转移特性曲线如图3―3(a)所示。 为了使输入阻抗大(不允许出现栅流iG)，也为了使 栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制，PN 结一定要反偏，所以在N沟道JFET中，uGS必须为负值
第3意,场效应管及其基本电路 /mA DSS 2-10 /V GS off 图3-3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线;(b)输出特性曲线
第3章 场效应管及其基本电路 图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 u GS －3 －2 －1 0 /V 1 2 3 4 I 5 DSS UGSoff i D /mA (a)
第3,场效应管及基基本电路 /mA 变(D=(Gs-(sor G 电 GOV N型沟道 阻 恒 0.5V 击穿区 流 IV 区 1.5V 2V GOff 10 20 截止区 (b) 图3-3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线;(b)输出特性曲线
第3章 场效应管及其基本电路 图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 1 2 3 4 i D /mA 0 10 20 u DS /V 可 变 电 阻 区 恒 截止区 －2V －1.5V －1V UDS＝UGS －UGSoff 5 15 流 区 击 穿 区 UGS＝0V (b) UGSoff － 0.5V
第3意,场效应管及其基本电路 输出特性曲线 输出特性曲线表达以Us为参变量时i与lbs的关系。 如图3—-3(b)所示,根据特性曲线的各部分特征,我们 将其分为四个区域: 1恒流区 恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特 征为 1)当UGsm<UGs0时,ls变化,曲线平移,b与 ls符合平方律关系,us对的控制能力很强
第3章 场效应管及其基本电路 二、输出特性曲线 输出特性曲线表达以UGS为参变量时iD与uDS的关系。 如图3―3(b)所示，根据特性曲线的各部分特征，我们 将其分为四个区域： 1.恒流区 恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特 征为： (1)当UGSoff<UGS<0时，uGS变化，曲线平移，iD与 uGS符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强