第3章配位场理论和配合物的电子光谱 d轨道在配位场中的能级分裂(电子光谱的 基础和来源) 过渡金属配合物的电子光谱,△大小的表征 电子光谱(吸收光谱,紫外可见光谱), T-S图 电荷迁移光谱( charge transfer,CT光谱)
第3章. 配位场理论和配合物的电子光谱 一.d 轨道在配位场中的能级分裂（电子光谱的 基础和来源） 二.过渡金属配合物的电子光谱，O大小的表征 ―电子光谱（吸收光谱，紫外可见光谱）， T―S图 三.电荷迁移光谱（charge transfer,CT光谱）
d轨道在配位场中的能级分裂 影响分裂能的因素: 10Dg-f gan x g I on 1.配位场的强度配体,光谱化学系列 I-< Br-< S2-< SCN-< CI< NO-< F-< OH< ox'-< H,0< NS< CH CN< NHa <en< dipy phen NO2<PR3< CN< CO 2.金属离子M+,n越大,分裂能越大
一 .d 轨道在配位场中的能级分裂 影响分裂能的因素： 10Dq＝fligand g ion 1.配位场的强度,配体,光谱化学系列 I − Br− S 2− SCN− Cl− NO3 − F − OH− ox2− H2 O NCS− CH3 CN NH3 en dipy phen NO2 − PR3 CN− CO 2.金属离子M n+,n越大,分裂能越大
3.周期数越高,分裂能越大,Pt2+,Ni2+ 4不同的配位场中: 平面四方>八面体>四面体> PtCl 2-( D4h) NiCl 2(Td) Ni(CN).-( D4h) (6周期) (4周期) C|(弱) CN-(强)
3.周期数越高,分裂能越大, Pt2+, Ni2+ 4.不同的配位场中: 平面四方八面体四面体 PtCl4 2– ( D4h) NiCl4 2– (Td) Ni(CN)4 2–(D4h) (6周期) (4周期) Cl (弱) CN–(强)
e e 4 4Dq d5, High spin(弱场) 八面体场△0=10Da 4Dq 6 Dq 四面体场△=4/9△0 d5, low spin(强场)
6Dq 4Dq eg t2ge t2 6Dq 4Dq 八面体场 O=10Dq 四面体场 T= 4/9 O d 5 , High spin(弱场) t2g eg eg t2g d 5 , low spin(强场)
dx y2 b 1g dz2 dx2- y2 g dz2 a1g d t2 i 6Dq d 4D y q 2g dz2 dx2- y2 d22 a1g dvz dreg 立方体场四面体场球形场八面体场四方畸变平面四方场 h 4h D 4h
立方体场 四面体场 球形场 八面体场 四方畸变 平面四方场 Oh Td Oh D4h D4h