字选择线0VDD存储单元T~TXT7T8译TsT 62码T1T2位线1位线2器IVssT8列选择线3存储单元存储单元Ti~T6TiTTDTN写人电路0WEY译码器读放DOUTlA2A3图4.3MOS静态存储器结构图
0XAo字地址译码32X32驱动功能表存储矩阵csWEDINDouT操作方式31器AHHxx未选031LHL写"0"DINL读／写电路控制电路LHH写“1"LDOUTHDoUTLx读Y地址译码A5AgcsWE图4.41K静态存储器框图动画lsRam.swf
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2．动态随机存储器DRAM1.存储单元和存储器原理读出：（1）三管存储单元（1K位存储器）读出数据线预充电高电位。读出选择线高电位，T3导通。读出选择线若：C存有电荷，读出数据线写入选择线T2导通，读出数T据线通过T3.T2接T地，读出电压为低电平。写入数据线若C无电荷，则T2截止，读出数据图4.7三管存储单元电路图线无变化
2. 动态随机存储器DRAM • 1.存储单元和存储器原理 （1）三管存储单元（ 1K位存储器） 读出： 读出数据线预充 电高电位。读出 选择线高电位， T3导通。 若：C存有电荷， T2导通，读出数 据线通过T3,T2接 地，读出电压为 低电平。 若C无电荷，则T2 截止，读出数据 线无变化
2．动态随机存储器DRAM1.存储单元和存储器原理写入：字线来高电平（2）单管存储单元，T导通。对Cs充电。字线读出：数据线预充数位线为高电平，字线来高申D据S平，T导通。若Cs上有T线电荷，则通过T放电，Cs使数据线电位下降若Cs上无电荷，数据DD线无电位变化。CD在数据线上接一个读出放大器可检测出Cs上电荷的变化情况。图4.8单管存储单元线路图判定存“0"还是“1
2. 动态随机存储器DRAM • 1.存储单元和存储器原理 （2）单管存储单元 写入：字线来高电平 ，T导通。对Cs充电。 读出：数据线预充电 为高电平,字线来高电 平，T导通。若Cs上有 电荷，则通过T放电， 使数据线电位下降。 若Cs上无电荷，数据 线无电位变化。 在数据线上接一个读 出放大器可检测出Cs 上电荷的变化情况。 判定存“0”还是“1”
继4K位动态存储器之后，又出现了16K位、64K位、和4M位的存储器。采用单管电路优点：线路简单，面积小，速度快缺点：读出是破坏性的。读出后要对单元进行“重写”以恢复原信息需要高灵敏度的读出放大器绍其原理下面以16KXi动态存储器为例芥
继4K位动态存储器之后，又出现了16K位、64K 位、和4M位的存储器。采用单管电路。 优点：线路简单，面积小，速度快。 缺点：读出是破坏性的。 读出后要对单元进行“重写”以恢复原信息 。 需要高灵敏度的读出放大器。 下面以16KX1动态存储器为例介绍其原理