为了“存”一个字到主存，CPU先将CPU信息字在主存中的ARDR地址经AR送地址n总线，并将信息字读/写地址总线送DR，同时发出数据总线写，命令。主存储控制总线ready器从数据总线接收到信息字并按地址主存储器总线指定的地址存储，然后经ready线发回存储器操作图4.1主存储器与CPU的联系完成信号，这时存，数操作完成
为了“存’一个字 到主存，CPU先将 信息字在主存中的 地址经AR送地址 总线，并将信息字 送DR,同时发出‘ 写’命令。主存储 器从数据总线接收 到信息字并按地址 总线指定的地址存 储，然后经ready 线发回存储器操作 完成信号,这时‘ 存’数操作完成
4.5读/写存储器导（随机存储器RAM静态存储器SRAM动画六管静态.swf依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。功耗较大，速度快，作Cache。动态存储器DRAM动画V四管，单管动态.swf依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较小，容量大，速度较快，作主存
4.5读/写存储器（随机存储器RAM） 静态存储器SRAM 动画\六管静态.swf 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存 储信息。功耗较大,速度快,作Cache。 动态存储器DRAM 动画\四管，单管动态.swf 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存
静态存储器SRAM位线2Vcc位线1(1）存储单元和存储器T3T4T5T6T1、T3：MOS反相器T2、T4：MOS反相器T2T1触发器T5、T6：控制门管字线：选择存储单元字选位线：完成读/写操作择线当单元未选中时，字选择线保持低电位，两条位线保持高电位，T5、T6截止，触发器和位线隔开
1 静态存储器SRAM T1、T3：MOS反相器 Vcc 触发器 T3 T1 T4 T2 T2、T4：MOS反相器 T5 T6 T5、T6：控制门管 字选 择线 字线：选择存储单元 位线：完成读/写操作 位线2 (1)存储单元和存储器 位线1 当单元未选中时,字选择线保持低电位,两条位 线保持高电位, T5、T6截止，触发器和位线隔 开
读操作过程：位线2Vcc位线1字选择线为高电位，单元被选中。若原来处于T3T4T5T6“1”"态（T1导通、T2截止），有电流自位线1T2广T1?流向T1，位线1产生一个负脉冲 (由高变低)，位线2不产因T2截止，生负脉冲。字选择线（T1截止、若触发器处于“0”态，T2导通），有电流自位线2流向T2位线2产生一个负脉冲。根据哪条线产生负脉冲可判定存0”还是“1
字选择线为高电位,单 元被选中。若原来处于 “1”态（T1导通、T2截 止），有电流自位线1 流向T1，位线1产生一 个负脉冲（由高变低）。 因T2截止，位线2不产 生负脉冲。 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 字选 若触发器处于“0”态， （T1截止、 择线 T2导通），有电流自位线2流向T2， 位线2产生一个负脉冲。根据哪条 线产生负脉冲可判定存“0”还是“1”。 位线 位线2 1 读操作过程：
写操作过程：位线2Vcc位线1写“1”：位线1送低电位位线2送高电位，单元被T3T4T5T6选中时，位线2通过T6向T1栅极充电，使T1导T2T1广通、而T2通过T5和位线1放电，使T2截止），从而写入“1”。字选写“0”：位线1送高电位，位线2送择线低电位，单元被选中时，位线1通过T5向T2栅极充电，使T2导通、而T1通过T6和位线2放电，使T1截止）从而写入“0
写“1”：位线1送低电位， 位线2送高电位,单元被 选中时，位线2通过T6 向T1栅极充电，使T1导 通、而T2通过T5和位线 1放电，使T2截止）， 从而写入“1”。 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 字选 择线 写“0”：位线1送高电位，位线2送 低电位,单元被选中时，位线1通过 T5向T2栅极充电，使T2导通、而T1 通过T6和位线2放电，使T1截止）， 从而写入“0”。 位线 位线2 1 写操作过程：