412BJT的电流分配与放大原理 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它 的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极 而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是 (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓 度,且基区很薄。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置
11 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它 的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极 而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓 度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理
413BJT的特性曲线(以共射极放大电路为例) 1输入特性曲线 2输出特性曲线 B3( BE REconst iavcei ig-const 1)当vcE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当v1V时,vB=vcE-vn>0,集电结已进入反偏状态 开始收集电子,基区复合减少,同样的vE下减小,特性 曲线右移。 B/μA m0VcE=0VycE≥lv C+C +K vc BE BB 00,204060810 BE 共射极放大电路
12 4.1.3 BJT的特性曲线 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态， 开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性 曲线右移。 vCE = 0V vCE 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线
2输出特性曲线i=(v) lB=const IR BB
13 2. 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const
413BJT的特性曲线 2输出特性曲线 Ic/mA 饱和区 iavcei lB=const lB2=80μA 放大区 输出特性曲线的三个区域 饱和区:i明显受v控制的区域, 3210 B=40A B 0截止区 一般vE<0.7V(硅管)。 VCE/ 此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。 放大区:i平行于vc轴的区域,曲线基本平行等距 此时,发射结正偏,集电结反偏 截止区:i接近零的区域,相当i-=0的曲线的下方。 此时,v3小于死区电压(发射结反偏)
14 4.1.3 BJT的特性曲线 iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 饱和区: iC明显受vCE控制的区域， 一般vCE＜0.7V(硅管)。 此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 放大区: iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集电结反偏。 截止区: iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，vBE小于死区电压(发射结反偏)
414BJT的主要参数 直滴参数直流电流放大系数a 极间反向电流 CBO·1 CEO 交流参数交流电流放大系数a,B 特征频率f 结电容Cbe,Cbe 极限参数集电极最大允许电流lN 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压
15 4.1.4 BJT的主要参数 交流参数 直流参数 极限参数 结电容 Cb’c 、Cb’e 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压 极间反向电流 ICBO 、ICEO 交流电流放大系数 、 直流电流放大系数 、 特征频率fT