2.?夜大电路的设计 23 极电位V。必须是2.6V(=2V+0.6V). 由于基极电位是由R,与R2对电源电压进行分乐之后的电位，所以，如果设 K,的压降为2.6V,R1的压降为12.4V(=15V-2.6V)即可 另外，在晶体管的基枚流动的基极电流为集电极电流的1/hE,假设E一200， 则流动的基极电流为0.005mA。 因此·行必要在R,与R:流过比基极电流大得多的电流，使得基极电流能够忽 略。在这里，在R,与R:上流动的电流取为0.1mA(认为“大得多”=10倍以上就 可以)。 即R与R为 R-是-124n +15V 0100k 2.6V R,-0A-26kn 012 输出 但是，这个R,与R:的值在E24系统数 列的电阻中是没有的，所以不改变R与K 2.6 的比值（比值一改变，V。的值就变了），在E24 2k 系统的电阻值中来挑选，取为R,=100k, R2=22kn(124:26≈100：24). 2SC245 在图2.0中，表示至此所求得的常数及 图2.10共发射极电路的DC电位 其部分的直流电位。可以知道，在照片2.3一 〔实验伯与计算值几乎一致。这可由 照片2.4表示的各部分中，实际电位儿乎与计 V一0,6V及欧姆定律来解释) 算值相等 2.2.9确定耦合电容C1与C2的方法 C与C,是将基极或集电极的直流电压截去仅让交流成分进行输入输出的耦 合电容，但是如图2.11所示，C,与输入阻抗、2与连接在输出端的负载电阻分别 形成高通滤波器一一仅让高频通过的滤波器。 当C与C:取很小值时，在滤波效果上难于通过低频，频率特性下降，在此取 C=C2=104F, 关于图2.1电路的交流输入阻抗，如设晶体管的输人阻抗为无限大，姻电源的 阻抗在交流上是与GND相同的阻抗（即为O),所以输入阻抗为R,与R2的并联 连接的值R∥R2(晶体管的基极电流极小，所以晶体管本身的输入阻抗可以看成 非常大)
24 第2華家大电路的工作 因此，电C,形成的高通滤波器的截 地容器阻止直流，让交流成分通过 止频率/e(振幅特性下降3dB一一即下降 到1√2的频率)为： fe=2.C.R 2xx10uFX18k0 ≈0.9Hz (2.14) 体政能○ 要注意，由该C形成的高通滤波器 图2.1共发射极放大电路的 的(，会因输出端接有不同的负载电阻而 高晒滤波器 发生变化（例如接在输出端电路的输人阻 (换言之，高通速旋器.即止高懒通过，将低抗等)。所以，预先考虑一下接有什么样 种有流想去) 的负载是至关重要的。 2.2.10确定电源去耦电容C,与C,的方法 C与C,是电源的去耦电容一即降低电源对GND的交流阻抗用的电容（称 为旁路电容)。当没有这个电容时，电路的交流特性变得很奇特，严重时电路产生 振荡。 电容的阻抗为1/(2x·了·C),频率越高，阻抗应该越小。但是，实际上因内部 感抗成分等因素的影响，从图2,12所示的某个频率开始，阴抗反而变高。在结构 上，小容量的电容器在高的领率处，而大容量的电容器则在较低的频率处，电容的 阻抗变得最低。 0.001 KF 0.01 005 0.02 5.01020 （a电电容 图2,12电容器的阳抗 在理想上抗是1/2C,座该与常成反比地下降，但在高情况下，离了理想 的特件面具有一定的用抗
么3放大电路的性能 25 因此，在电源上并联连接如图2.13所示的小容量的电容器C和大容量的电 容器C,在很宽的频率范围降低电源对GND的阻抗。 、电路的 图2.13电源的去耦（旁路）电容 (在低類电路中，去晨电容的安装位置不是间题，但在高领电路中，安装位置比什么 都重要，引线也要短) 但是，小容量的电容器是在高频情况下降低阻抗用的，所以如果不配置在 电路近邻，则电容器的引线增长，由于引线本身的阻抗，电源的阻抗不能降 低 在此，采用C=0.1:F的叠层陶瓷电容器，C,=10uF的铝电解电容器。 通常小容量电容器是0.01~0,1F的陶瓷电容器（薄膜电容器为NG),大容 量电容器是1~100F的铝电解电容器。 另外，在这样低频率的电路中，即使没有小电容C,电路也能正常工作，但是 在高频电路中，比起大电容C来，C起着更为重要的作用。 从习惯上来说，旁路电容也由大电容与小电容两条通路构成。 电源是使电路进行工作的基础，因此，旁路电容可以认为是电路工作的“保险 金”和“安心费”。在电路图中，即使没有画旁路电容，而在实际装配电路时如能加 人旁路电容，那么你就已经加入到高手行列中去了。 2.3放大电路的性能 那么，设计出来的电路性能如何呢？让我们实际测量一下。 2.3.1输入阻抗 图2.14表示测量输人阻抗乙的方法。它是在信号源上连接串联电阻R,由 串联电阻两端的振幅以，与之差来求输人阻抗的方法。该测量的考虑方法认为
26 第2蓝极大的工作 加在电路上的输入电压是信号电压，用R与Z进行分压后的值， 照片公.7表示设4=1V,(1kHZ),R=18kn时的波形.为0.5V,(M的 1/2),所以知道Z值与R,相等，即Z=18kQ. 40.500 共发射快放大电器 图214输入刚抗的测定 照片2,7满量输入阳抗的波形 及、是为群量输入阻旋面接人的电用。在 (200s/div.200mV/div) 解的电路中，尺为数其以下，银据R。的 (在信号上单接上k 一8kn,然后接到电路上，则 电路的增人后号（如照片所示）喉幅就下降，这是检 人用杭变低的缘被 这个值是偏置电路的R,与R:的并联连接值R1∥R(10okn∥22k9)的本 身值。 2.3.2输出阻抗 图2.15表示测量输出阻抗的方法。它是在输出端接上负载电阻R,来测量输 出振幅。·然后与无负载(R≈©)时的输出振幅做比较来求输出阻抗的方法。这 是因为，，为无负载时的输出振幅用Z。与R:进行分压之后的值。 照片2,8表示出设=1V,(1kHz)、RL=10k0时的输出波形。在无负载时， 如照片2.2所示，A,=5,=5V,但是R:=10kQ时，%=2.5Vm(为无负载时的 1/2) 因此，Z,值与R,相等，即知道为Z。=10kQ。这个值为集电极电阻R。本身的 如图2.16所示，如改变对品体管的看法，则可以认为是由输入信号控制的电 流源，因此，由输出端看到的该电路的阻抗为尺。与电流源并联连接的值（电源的 阻抗是0，与GND相同)。 然而，所谓电流源，是指即使负载变化，其电流也是不改变的。可以认为内部 阻抗是无限大。所以，由输出端看到的阻抗（即输出阳抗）为Re本身
2,日敬大电路的性能 27 m250 共发射极大电路 ⊙ 图2.15输出阻抗的测量 服片2,8测量输出阻抗的波形 (配是为测量旅出阻抗而接人的电阻，在 极的电路中，R为致十至教百千，限 (接上负乾电阻=10kn.期输出电压。由 的值及 人输出特性振)如何变化来 5V下降到2V,这是由于描出阻抗变高 推定缩出阳抗】 的缘成) 电御的闲抗 认衣南角世看 输出 的拔交流上 为 水母的值 图2.16共发射极电路的输出阻抗 (关是将品体管看作电流源，电V:的阻杭可看作儿平为，共发射电路的 出阻抗不一定很低 2.3.3放大倍数与频率特性 图2.I7表示电压放大倍数及相位的频率特性(1kHz~1OMHz)曲线，如对电 路的放大倍数进行正确的测量，放大倍数为12.8B(约4.4倍)（图2.17的放大倍 数曲线)，这比由式(2.9)设定的A,(14dB=5倍)略低一些。 式(2.9)是设1：=I:时进行计算的。但是实际晶体管的h:为有限的值，所以 1=IE十1,1k比e要小一些。因此，实际的放大倍数（增益）也比由式(2.9)计算 的值要低一些（如严格地进行计算，不仅与he有关，而且与晶体管的输人阻抗里 也有关)