列译码器 Y Y1 15 行 译 码 器「x 读写RW L/O 片选CS RW控制电路 RAM结构示意图 总容量:26×(4×24)=64×64=4096个存储单元
总容量：2 6 ×（4 × 2 4）= 64 × 64 =4096个存储单元
③数据线4根:D3~D0; ④片选信号CS: CS=0,芯片工作;CS=1,芯片禁止 ⑤读/写控制线RW:Rw=0(写), 例1用1Kx4位的214RRM晨成读个16K×8位的 存储器需要片2114芯片扩展后的存储器共有地 地根 例2:某RAM存储矩阵采用32×32的形式,行地址 译码器采用5/32线译码器;列地址译码器,则可知 RAM有个存储单元,该存储矩阵共有个字 每个字有4位,其列地址译码器的每根输出线接存 储矩阵的列
③ 数据线4根： D3 ~ D0 ； 例1:用1K×4位的2114RAM扩展成一个16K×8位的 存储器需要 片2114芯片,扩展后的存储器共有地 址 根。 3 1 2 4 例2：某RAM存储矩阵采用32×32的形式，行地址 译码器采用5/32线译码器；列地址译码器，则可知 RAM有 个存储单元，该存储矩阵共有 个字， 每个字有 位，其列地址译码器的每根输出线接存 储矩阵的 列。 1024 256 4 4
(2)存储容量的扩展(重点介绍) RAM芯片的种类很多容量有大、有小。当 片RAM不能满足存储容量及其位数要求时, 可将多个芯片适当连接起来实现位和字的扩展。 扩展的方法有两种:位扩展和字扩展。 1.位扩展(位数不够用,字数足够用)
RAM芯片的种类很多,容量有大､有小。当 一片RAM不能满足存储容量及其位数要求时， 可将多个芯片适当连接起来实现位和字的扩展。 扩展的方法有两种：位扩展 和 字扩展 。 1. 位扩展(位数不够用,字数足够用)
例1:用1024字×1位RAM构成1024字x8位 RAM 需要片数 №=·目标存储器容量 N=8 口有存储器容量 1/01 1/O, 1/01 1/0 1024×1 1024×1 1024×1 RAM RAM RAM AA…A,RWS|AA1…AR/飞 LA…AR图 Al A R/W CS
例1：用1024字×1位RAM构成1024字×8位 RAM. 需要片数 N=8
例2:米用2片2114(1024×4位)芯片,并联在 起,构成1024×8位的存储器。 R/W Ao A o A A O RW CS 0…A0RwCs 2114(I) 2114(I) D, D D D D D 6 5 4 3D2D1 数据输出 图9262114芯片位扩展
例2:采用2片2114 （1024×4位）芯片，并联在 一起，构成 1024 ×8位的存储器