第九章和第十章的复习 、填空 1、使用PROM实现组合逻辑时,应首先把逻辑函数 变换成A,而使用PLA实现组合逻辑时,应首先把 逻辑函数变换成C。(A:最小项表达式,B:最大 项表达式,C:最简与或式) 2、存储器容量的扩展有字扩展和位扩展两种方法 如把1K字×4位容量的2114RAM扩展为16K字×8位的 RAM,则需32片2114和一个416译码器
第九章 和第十章的复习 一、填空 1、使用PROM实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数 变换成____，而使用PLA实现组合逻辑时，应首先把 逻辑函数变换成___。（A：最小项表达式，B：最大 项表达式，C：最简与或式 ） 2、存储器容量的扩展有__扩展和__扩展两种方法。 如把1K字×4位容量的2114RAM扩展为16K字×8位的 RAM，则需____片2114和一个______译码器
3、有一个存储器的容量为1024字×8位,则该存储 器共有8192个基本存储单元,共存有1024字,每字 有8位位,该存储器共有2个2114。 4、某RAM存储器矩阵采用32×32的形式,行地址 译码器采用5/32线译码器;列地址译码器采用3/8线 译码器,则可知该RAM有1024个存储单元。该存 储矩阵共有256个字,每个字有4位,其列地址 译码器的每根输出线接存储矩阵的4列。 5、存储器的容量用字和位的乘积表示。构成 16K×16位的RAM需要64片容量为1K×4的2114, 这时应有14条地址线,一次读出操作选中16
3、有一个存储器的容量为1024字×8位，则该存储 器共有____个基本存储单元，共存有____字，每字 有____位，该存储器共有____个2114。 4、某RAM存储器矩阵采用32×32的形式，行地址 译码器采用5/32线译码器；列地址译码器采用3/8线 译码器，则可知该RAM有_____个存储单元。该存 储矩阵共有____个字，每个字有_____位，其列地址 译码器的每根输出线接存储矩阵的____列。 5、存储器的容量用___和___的乘积表示。构成 16K×16位的RAM需要_____片容量为1K×4的2114， 这时应有_____条地址线，一次读出操作选中____
6、RAM在工作时,可以按地址对指定单元读取或 存放数据;而ROM在工作时,只能读取指定单元的 数据。(擦出、读取、存放) 7、一个RAM的容量为1024字×8位,则该RAM共有 8192个基本存储单元,工作时每次访问8个基本 存储单元,有10个地址端。 8、使用GAL16V8最多可设置16个输入端,最多 可设置8个输出端
6、RAM在工作时，可以按地址对指定单元____或 ____数据；而ROM在工作时，只能_____指定单元的 数据。（擦出、读取、存放） 7、一个RAM的容量为1024字×8位，则该RAM共有 ____个基本存储单元，工作时每次访问____个基本 存储单元，有____个地址端。 8、使用GAL16V8最多可设置____个输入端，最多 可设置____个输出端
9、说明下表中所列5种器件的与、或阵列是固定结 构还是可编程结构(在表内对应小格中打“√”)。 与阵 或阵列 器件 固定 可编程固定 可编程 固定ROM PROM √ PLA PAL √√√√ GAL
9、说明下表中所列5种器件的与、或阵列是固定结 构还是可编程结构（在表内对应小格中打“√”）
10、GAL16v8共有20个管脚,其中输入端最多可 有_16个,输出端最多可有8个,其OLMC在结构 控制字的作用下可以构成_五种不同的工作模式。 11、PLD按制造工艺可以分为双极型熔丝工艺 UVCMOS工艺 EECOMS工 艺三类,按集程 度可以分为 LDPLD和 HDPLD两类。 12、PAL和GAL的相同之处是基本结构都是与阵 列可编程,或阵列固定。不同之处是PAL(PAL GAL)的输出结构是固定的,而 (FGAL GAL) 的输出结构可由用户编程确定
10、GAL16V8共有____个管脚，其中输入端最多可 有____个，输出端最多可有_____个，其OLMC在结构 控制字的作用下可以构成____种不同的工作模式。 11、PLD按制造工艺可以分为_________________， _________________，______________三类，按集程 度可以分为________和___________两类。 12、PAL和GAL的相同之处是基本结构都是_____阵 列可编程，_____阵列固定。不同之处是_____（PAL， GAL）的输出结构是固定的，而_____（PAL，GAL） 的输出结构可由用户编程确定