第九章半导体存储 、半导体存储器概念: 随着微电子技术的提高,大规模集成电路 (LSI发展很快近年来集成电路几乎以每年提 高一倍的速度向前发展。 存储器是电子计算机及数字系统中不可缺 少的部分,用来存放二进制代码表示的数据 系统指令、资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量和工作速度
第九章 半导体存储器 一、半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路 (LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提 高一倍的速度向前发展。 存储器是电子计算机及数字系统中不可缺 少的部分，用来存放二进制代码表示的数据､ 系统指令､资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度
1.存储容量 存储容量是衡量工作能力大小的指标容量越大, 存储的信息越多工作能力越强。 存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用若干 个“K”单元表示。例如 210=1024称1K单元, 212=4096称4K单元。 在数字系统中,数据和指令通常用一定位数的字 来表示,字的位数称为字长。故存储容量为: n字(字位)xm位(位)。 例如:1024字×8位→可写为“1K字x8位”,这 说明它能存放1024个8位的数据
1. 存储容量 存储容量是衡量工作能力大小的指标,容量越大, 存储的信息越多,工作能力越强。 存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用若干 个“K”单元表示。例如： 210=1024 称 1K单元 ， 212=4096 称 4K单元。 在数字系统中，数据和指令通常用一定位数的字 来表示，字的位数称为字长。故存储容量为： n字（字位） × m位（位）。 例如：1024字 × 8位 ⇒可写为“1K字×8位”，这 说明它能存放1024个8位的数据
2存取速度(工作速度) ★存取速度用存取周期表示。 从存储器开始存取第一个字到能够存取第二 个字为止。所需的时间称为存取时间或存取周 期。它是衡量存储存取速度的重要指标。 ★存取問期越短,说明存取速度越高。 双极型存储器的存取周期为:20~50ns, MoS存储的存取周期为:100~300ns
2.存取速度(工作速度) ★存取速度用存取周期表示。 从存储器开始存取第一个字到能够存取第二 个字为止。所需的时间称为存取时间或存取周 期。它是衡量存储器存取速度的重要指标。 ★存取周期越短，说明存取速度越高。 双极型存储器的存取周期为：20 ～ 50 ns， MOS存储器的存取周期为：100 ～300 ns
三、存储器的分类 分类方法有两种:功能分类和工艺分类。 1.按功能分类 固定RoM:内容由厂家制作。ROM ROM可编程ROM:可一次性编程。PROM 可擦除可编程ROM:可多次改写 EPROM E2PROM RAM[双极型RAM UVEPRO SRAM(静态y 单极型(MoS DRAM(动态 SAM∫Mos移位寄存器 电荷耦合器件cCD移位寄存器 Cache高速缓存
三､存储器的分类 分类方法有两种：功能分类和工艺分类。 1. 按功能分类 ROM 固定ROM:内容由厂家制作。ROM 可编程ROM：可一次性编程。PROM 可擦除可编程ROM：可多次改写 EPROM RAM 双极型 RAM 单极型 （MOS） SRAM（静态） DRAM（动态） SAM MOS移位寄存器 电荷耦合器件CCD移位寄存器 Cache 高速缓存 E 2PROM UVEPRO M
2.按工艺分类 双极型存储器:「速度快 功耗大 功耗低 MOS型存储器单极型):制造工艺简单 集成度高 速度慢 电荷偶合器件(CCD) 电荷偶台器件(CCD):是一种新型存储器件, 其制造工艺简单,集成度比MOS更高,工作速 度与MOS型相当
2. 按工艺分类 电荷偶合器件（CCD）：是一种新型存储器件， 其制造工艺简单，集成度比MOS更高，工作速 度与MOS型相当。 双极型存储器: MOS型存储器(单极型)： 电荷偶合器件（CCD） 速度快 功耗大 功耗低 制造工艺简单 集成度高 速度慢