（2）杂质缺陷载流子晶体中杂质缺陷载流子的数量主要取决于材料的化学纯度以及掺杂量与温度无关。室温下即使是高纯物体，杂质载流子任然远高于热缺陷本征载流子，因此例子电导主要去取决于杂质含量。杂质缺陷载流子：材料本身有杂质：掺杂改性。材料中在职的存在方式：1).均匀分散在材料内部，形成固溶体；2）.富集在一起，形成单独的一相：3）对于多晶固体则可能富集在晶界区域，形成晶界相
（2）杂质缺陷载流子 晶体中杂质缺陷载流子的数量主要取决于材料的化学纯度以及掺杂量,与 温度无关。室温下即使是高纯物体，杂质载流子任然远高于热缺陷本征载 流子，因此例子电导主要去取决于杂质含量。 杂质缺陷载流子：材料本身有杂质；掺杂改性。 材料中在职的存在方式： 1).均匀分散在材料内部，形成固溶体； 2).富集在一起，形成单独的一相； 3).对于多晶固体则可能富集在晶界区域，形成晶界相
对于杂质含量不高的化学计量比化合物，杂质元素可以看成是取代了基质元素而占据着晶格中的相应位置。当杂质元素和基质元素电价相等时，形成等价代换。例如：xKCl+(1-x)NaCl→(Nat-,K)Cl当杂质离子与基质离子电价不相等时，可能会在晶格中产生空格点和填隙离子。例如：产生空格点：xCaCl, +(1-2x)NaCI→(Nat-2,Ca2*,)Cl2xNaCI+(1-x)CaCl, →(Na,Cat)(Cat) Cl产生填隙离子：
当杂质离子与基质离子电价不相等时，可能会在晶格中产生空格点 和填隙离子。 例如： 2 2 1 2 (1 2 ) ( ) a x x x xCaCl x NaCl N Ca Cl + + + − → − 2 2 2 1 2xNaCl (1 x)CaCl (N Ca (Ca Cl a x x + ） x + ） + → − + − 产生空格点： 产生填隙离子： 对于杂质含量不高的化学计量比化合物，杂质元素可以看成是取代了基 质元素而占据着晶格中的相应位置。 当杂质元素和基质元素电价相等时，形成等价代换。 例如： xKCl x NaCl N K Cl a x x (1 ) ( ) 1 + + → − + −