锗与硅的原子结构模型： (a)硅 (b)锗 +14 +32
锗与硅的原子结构模型： +14 +32 （a）硅 (b) 锗
(c)惯性核模型 +4 储与硅都是单晶体； 硅和锗的单晶体称为本征半导体
(c) 惯性核模型 +4 锗与硅都是单晶体； 硅和锗的单晶体称为本征半导体
二、本征激发和复合 本征激发： 当温度升高或受到光线照射时，某些共价键中的价电 子从外界获得足够的能量，从而挣脱共价键的束缚，离开 原子而成为自由电子，同时，在共价键中留下相同数量的 空位，这种现象称为本征激发。 实际上，在自由电子空穴对产生过程中，还同时存在着复合 过程，这就是自由电子在热骚动过程中和空穴相遇而释放能量， 造成自由电子空穴对消失的过程
二、本征激发和复合 本征激发： 当温度升高或受到光线照射时，某些共价键中的价电 子从外界获得足够的能量，从而挣脱共价键的束缚，离开 原子而成为自由电子，同时，在共价键中留下相同数量的 空位，这种现象称为本征激发。 实际上,在自由电子-空穴对产生过程中,还同时存在着复合 过程,这就是自由电子在热骚动过程中和空穴相遇而释放能量, 造成自由电子-空穴对消失的过程
锗和硅共价键结构示意图
锗和硅共价键结构示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4
空穴在晶格中移动示意图 由与带负电荷的价电子依次填补空位的作用与带正电荷的 粒子作反方向运动的效果相同，因次，可以把空位看作带 正电荷的载流子，并把它称为空穴。 结果 产生两种载流子，即自由电子和空穴。 这也是导体和半导体导电不同之处
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴在晶格中移动示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 结果： 产生两种载流子，即自由电子和空穴。 这也是导体和半导体导电不同之处。 由与带负电荷的价电子依次填补空位的作用与带正电荷的 粒子作反方向运动的效果相同，因次，可以把空位看作带 正电荷的载流子，并把它称为空穴