第3真场效应管及基基本电路 2.可变电阻区 当bs很小,aps-ls<Ucso时,即预夹断前(如图 3-4(a)所示),bs的变化直接影响整个沟道的电场强度, 从而影响动的大小。所以在此区域,随着ls的增大, i增大很快。 与双极型晶体管不同,在JFET中,栅源电压vs对 i上升的斜率影响较大,随着‖UGs增大,曲线斜率变 小,说明JFET的输出电阻rn( △aDs 变大。如图3-3(b)所示
第3章 场效应管及其基本电路 2. 可变电阻区 当uDS很小，|uDS-uGS|<|UGSoff|时，即预夹断前(如图 3–4(a)所示)，uDS的变化直接影响整个沟道的电场强度， 从而影响iD的大小。所以在此区域，随着uDS的增大， iD增大很快。 与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对 iD上升的斜率影响较大， |UGS|增大，曲线斜率变 小，说明JFET的输出电阻 变大。如图3--3(b)所示 ( ) D DS DS i u r =
第3真场效应管及基基本电路 >0 DSS 沟道局部夹断 P 图3-4Ds对导电沟道的影响
第3章 场效应管及其基本电路 D G S (a) UDS I D ＞0 UGS D G S (b) UDS UGS 沟道局部夹断 I D ＝I DSS P P P P 图3–4 uDS
第3真场效应管及基基本电路 3.截止区 当|UGs卜Us时,沟道被全部夹断,i=0,故此 区为截止区。若利用JFET作为开关,则工作在截止区, 即相当于开关打开。 4击穿区 随着bs增大,靠近漏区的PN结反偏电压 bd(=ls-las)也随之增大。 Back
第3章 场效应管及其基本电路 3. 截止区 当|UGS|>|UGSoff|时，沟道被全部夹断，iD =0，故此 区为截止区。若利用JFET作为开关，则工作在截止区， 即相当于开关打开。 4.击穿区 随 着 uDS 增 大 ， 靠 近 漏 区 的 PN 结 反 偏 电 压 uDG(=uDS-uGS)也随之增大
第3真场效应管及基基本电路 3-2绝缘栅场效应管( IGFET) 3-2-1绝缘栅场效应管的结构 如图3-5所示,其中图(a)为立体结构示意图,图(b) 为平面结构示意图
第3章 场效应管及其基本电路 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–2–1 绝缘栅场效应管的结构 如图3–5所示，其中图(a)为立体结构示意图，图(b) 为平面结构示意图
第3真场效应管及基基本电路 MANASA 源极栅极漏极 G 氧化层 SiO2 N 耗尽层 L P型衬底 B 图3-5绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 a)立体图;(b)剖面图
第3章 场效应管及其基本电路 (a) 源 极 栅 极 漏 极 氧化层 (SiO2 ) B P型衬底 W N ＋ N ＋ L 耗 尽 层 A1层 S G D 图3–5绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 (a)立体图；(b)剖面图