第3真场效应管及基基本电路 式中: DSS 饱和电流,表示vs=0时的i值 Uaso夹断电压,表示ls=Ucs时b为零。 转移特性曲线如图3-3(a)所示。 为了使输入阻抗大(不允许出现栅流G),也为了使 栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制,PN 结一定要反偏,所以在N沟道JFT中,ls必须为负值
第3章 场效应管及其基本电路 式中：IDSS——饱和电流，表示uGS =0时的iD值； UGSoff——夹断电压，表示uGS =UGSoff时iD为零。 转移特性曲线如图3–3(a)所示。 为了使输入阻抗大(不允许出现栅流iG)，也为了使 栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制，PN 结一定要反偏，所以在N沟道JFET中，uGS必须为负值
第3真场效应管及基基本电路 i/mA DSS 2 2 10 iSoff 图3-3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线;(b)输出特性曲线
第3章 场效应管及其基本电路 图3–3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 u GS －3 －2 －1 0 /V 1 2 3 4 I 5 DSS UGSoff i D /mA (a)
第3真场效应管及基基本电路 /mA 可变电阻区 DS sGSoff U=OV 恒 0.5V 击穿区 流 区 1.5V Soff DS 截止区 (b) 图3-3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线;(b)输出特性曲线
第3章 场效应管及其基本电路 图3–3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 1 2 3 4 i D /mA 0 10 20 u DS /V 可 变 电 阻 区 恒 截止区 －2V －1.5V －1V UDS＝UGS －UGSoff 5 15 流 区 击 穿 区 UGS＝0V (b) UGSoff － 0.5V
第3真场效应管及基基本电路 输出特性曲线 输出特性曲线表达以Uos为参变量时1与s的关系 如图3-3(b)所示,根据特性曲线的各部分特征,我们将 其分为四个区域: 1恒流区 恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特 征为: (1)当 UGSo UG<0时,ls变化,曲线平移,ip与 lGs符合平方律关系,ls对i的控制能力很强
第3章 场效应管及其基本电路 二、输出特性曲线 输出特性曲线表达以UGS为参变量时iD与uDS的关系。 如图3–3(b)所示，根据特性曲线的各部分特征，我们将 其分为四个区域： 1.恒流区 恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特 征为： (1)当UGSoff<UGS<0时，uGS变化，曲线平移，iD与 uGS符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强
第3真场效应管及基基本电路 (2)Us固定,bs增大,增大极小。说明在恒流 区,ωs对i的控制能力很弱。这是因为,当ls较大时, U增大,靠近漏区的PN结局部变厚,当 lbs-lGs卜>|osof (3-3) 时,沟道在漏极附近被局部夹断(称为预夹断) 如图3-4(b)所示。此后,4s再增大,电压主要降到局 部夹断区,而对整个沟道的导电能力影响不大。所以 ls的变化对i影响很小
第3章 场效应管及其基本电路 (2)UGS固定，uDS增大，iD增大极小。说明在恒流 区，uDS对iD的控制能力很弱。这是因为，当uDS较大时， UDG增大，靠近漏区的PN结局部变厚，当 |uDS-uGS|>|UGSoff| (3–3) 时，沟道在漏极附近被局部夹断(称为预夹断)， 如图3–4(b)所示。此后， uDS再增大，电压主要降到局 部夹断区，而对整个沟道的导电能力影响不大。所以 uDS的变化对iD影响很小