第二章晶体三极管 两个背靠背排列且靠的很近的PN结组成三极管(当然不能等同 于两个二极管,在具体构造上有其特殊性,简讲一下),有NPN和 PNP两种,其结构和电路符号为 NPN N B B E E PNP
第二章 晶体三极管 两个背靠背排列且靠的很近的PN结组成三极管（当然不能等同 于两个二极管， 在具体构造上有其特殊性，简讲一下），有NPN和 PNP两种，其结构和电路符号为： C C B B E E N P N P N P NPN PNP
NP N PN 双极型三极管(对应下一章单极型三极管即场效应管)和晶体」 极管一样都是非线性器件,但在主要特性上有区别:二极管具有 单向导电性,而三极管具有正向受控作用,即若发射结正偏、集 电结反偏,则其发射结电流和集电结电流基本上只受正偏发射结 电压的控制,而几乎不受反偏集电结电压的控制用此特点可组 成各种放大电路和功能电路,除放大模式外,晶体三极管还具有 饱和模式和截止模式,这两种模式用于开关电路。 本章主要内容简介(略)
双极型三极管（对应下一章单极型三极管即场效应管）和晶体二 极管一样都是非线性器件，但在主要特性上有区别：二极管具有 单向导电性，而三极管具有正向受控作用，即若发射结正偏、集 电结反偏，则其发射结电流和集电结电流基本上只受正偏发射结 电压的控制，而几乎不受反偏集电结电压的控制 用此特点可组 成各种放大电路和功能电路，除放大模式外，晶体三极管还具有 饱和模式和截止模式，这两种模式用于开关电路。 本章主要内容简介（略）。 N P N P N P
2.1晶体三极管工作原理 一、内部载流子传输过程:(以NPN三极管为例) 发射结:正偏,通过发射结的电流主要是扩散电流,有I(发射区 电子扩散注入基区)和IEP(基区空穴扩散注入发射区)即 +I EN「EP 由于发射区掺杂浓度远大于基区掺尕浓度 几十倍到上百倍),所以I》IEpI是LE的主要组成 部分,其大小主要受发射结正偏电压控制 发射结 集电结 ooo RI R2
2.1 晶体三极管工作原理 一、内部载流子传输过程：（以NPN三极管为例） 发射结：正偏，通过发射结的电流主要是扩散电流，有IEN（发射区 电子扩散 注入基区）和IEP（基区空穴扩散注入发射区）即 IE= IEN + IEP 由于发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度 （几十倍到上百倍），所以IEN 》IEP IEN是IE 的主要组成 部分，其大小主要受发射结正偏电压控制。 N+ P N R1 R2 IEN IEP ICN1 ICN2 ICP } ICBO IB I IC E 发射结 集电结
集电结:反偏,通过集电结的电流主要是漂移电流,有: cN发射区注入基区的电子少部分与基区空穴复合,大部分漂 移至集电区形成漂移电流IcN,这个电流大小基本与反偏电压 无关,但由于基区掺杂浓度很低,且基区宽度很薄,一般μm 数量级,所以N与接近,两者仅相差一个复合电流,这样 IcN同IN一样受发射结正偏电压控制(见PN结伏安关系方程) Ic2基区中的热平衡少子自由电子漂移至集电区形成的漂移电 流,非常小,且基本与反偏电压大小无关。 发射: 集电结 N CBO CN2
集电结：反偏，通过集电结的电流主要是漂移电流，有： ICN1 发射区注入基区的电子少部分与基区空穴复合，大部分漂 移至集电区形成漂移电流ICN1 ，这个电流大小基本与反偏电压 无关，但由于基区掺杂浓度很低，且基区宽度很薄，一般μm 数量级，所以ICN1与IEN接近，两者仅相差一个复合电流，这样 ICN1同IEN一样受发射结正偏电压控制（见PN结伏安关系方程） ICN2 基区中的热平衡少子自由电子漂移至集电区形成的漂移电 流，非常小，且基本与反偏电压大小无关。 N+ P N R1 R2 IEN IEP ICN1 ICN2 ICP } ICBO IB I IC E 发射结 集电结
ρ集电区中的热平衡少子空穴漂移至基区形成的漂移电流,非 常小,且基本与反偏电压大小无关 Ic=IcN十ICN2+1 CP CNI 十 CBO CBO CN2 十 CP Ic中的主要成分LcN受发射结正偏电压控制,即I的大小基本 只受发射结正偏电压控制,而集电结本身的热平衡少子形成 的漂移电流IcBo又称反向饱和电流基本不受发射结正偏电压 控制,也基本与反偏电压大小无关,是集电结寄生电流。 N RI
ICP 集电区中的热平衡少子空穴漂移至基区形成的漂移电流，非 常小，且基本与反偏电压大小无关。 IC = ICN1十ICN2十ICP = ICN1十ICBO ICBO = ICN2十ICP IC 中的主要成分ICN1受发射结正偏电压控制，即IC的大小基本 只受发射结正偏电压控制，而集电结本身的热平衡少子形成 的漂移电流ICBO又称反向饱和电流基本不受发射结正偏电压 控制，也基本与反偏电压大小无关，是集电结寄生电流。 N+ P N R1 R2 IEN IEP ICN1 ICN2 ICP } ICBO IB I IC E