高频晶体管设计 3.10节高频晶体管 M= 8πr6bCTc 要提高M,应提高fr，降低 rbb'和Cc,因此应该采用由平面工艺 制成的硅NPN管，并采用细线条的多基极条和多发射极条结构。 B E B E B ●●●●
要提高 M ，应提高 fT ，降低 rbb’和 CTC ，因此应该采用由平面工艺 制成的硅 NPN 管，并采用细线条的多基极条和多发射极条结构。 T b b T C 8 f M r C S l B E B E B …… 高频晶体管设计 3.10 节 高频晶体管
高频晶体管设计 3.10节高频晶体管 提高M的各项具体措施及其副作用 要使rb↓，应：(1)个 (2)s(受工艺水平限制) (3)RaB↓ ①NB↑（但使，CrE↑，BVEBOS) ②WB↑（但使↑，BL,f) 要使CTC,应： (1)Ac↓(，s) (2)Nc↓（但使↑，rs) 可见乘积rbb,CTC与1无关而与s2成正比， 所以高频晶体管须采用细线条
提高 M 的各项具体措施及其副作用 要使 rbb’↓，应： (1) l↑ (2) s↓ (受工艺水平限制 ) (3) R口B↓ ① NB↑(但使β↓，CTE↑，BVEBO↓) ② WB↑(但使 b↑，β↓， fT↓) 要使CTC↓，应： (1) AC↓ ( l↓, s↓) (2) NC↓ ( 但使 d↑，rcs↑) 可见乘积 rbb’CTC与 l 无关而与 s 2成正比， 所以高频晶体管须采用细线条。 高频晶体管设计 3.10 节 高频晶体管
高频晶体管设计 3.10节高频晶体管 要使f个，应使ec↓。由于 Tec Teb +tb+td +tc 要使eb,应： (1)re↓→↑（但受大注入等限制） (2)CTE↓ 贯省会使，人心 要使，应： (1)WB(但会使rb↑，VAN,且受工艺限制) (2)个（采用平面工艺）》 要使al,应：xac↓→Nc↑（但会使B'cBoN,CTc) (1)rest (2)Crc↓ 要使↓，应： ①Nct(但会使BVCBO,CrC↑) ②集电区厚度d↓ ①Ac↓ ③Ac↑（但会使Crc) ②NcJ(但会使r↑)
要使c↓，应： 要使d↓，应：xdc↓ →NC↑( 但会使 BVCBO↓, CTC↑) (1) rcs↓ ① NC↑( 但会使 BVCBO↓, CTC↑) ② 集电区厚度 dc↓ ③ AC↑( 但会使CTC↑) (2) CTC↓ ① AC↓ ② NC↓( 但会使 rcs↑) 要使eb↓，应： (1) re↓→IE↑(但受大注入等限制) (2) CTE↓ ① AE↓ ( l↓, s↓ ) ② NB↓( 但会使 rbb’↑，VA↓) 要使b↓，应： (1) WB↓( 但会使 rbb’↑，VA↓，且受工艺限制) (2) η↑ ( 采用平面工艺 ) 要使 fT↑，应使ec↓。由于 高频晶体管设计 3.10 节 高频晶体管
高频晶体管设计 3.10节高频晶体管 几个主要矛盾 (1)对W的要求 一般情况下应减小WB。但当W减小到，不再是c的主要部分 时，再减小W对继续减小c已作用不大，而对b的增大作用却不 变。同时工艺上的难度也越来越大
一般情况下应减小WB 。但当WB减小到 b 不再是 ec 的主要部分 时，再减小WB 对继续减小ec 已作用不大，而对 rbb’的增大作用却不 变。同时工艺上的难度也越来越大。 几个主要矛盾 (1) 对 WB的要求 高频晶体管设计 3.10 节 高频晶体管
高频晶体管设计 3.10节高频晶体管 (2)对%的要求 减小rb'与减小b及增大B对%有相矛盾的要求。可通过采用 无源基区（非工作基区）重掺杂来缓解。这可降低R妇3，从而减小 rbb'中的on与rcb,但不会影响tob与B。 n
(2) 对 NB 的要求 减小 rbb’ 与减小 eb 及增大 β 对 NB 有相矛盾的要求。可通过采用 无源基区（非工作基区）重掺杂来缓解。这可降低 R口B3 ，从而减小 rbb’ 中的 rcon 与 rcb ，但不会影响 eb 与β 。 高频晶体管设计 3.10 节 高频晶体管