第四章MOSFET及其放大电路
第四章 MOSFET及其放大电路
概述工作原理电路的构成电路的分析和设计方法两类场效应管（FET:FieldEffectTransistor）：金属一氧化物一半导体FET（MOSFET:Metal-OxideSemiconductorFET）结型FET（JFET:JunctionFET）
• 工作原理 • 电路的构成 • 电路的分析和设计方法 两类场效应管（FET:Field Effect Transistor）： 金属—氧化物—半导体FET (MOSFET:Metal—Oxide—Semiconductor FET） 结型FET（JFET:Junction FET） 概 述
MOSFET的两种类型：增强型N沟道型P沟道型耗尽型N沟道型P沟道型
MOSFET的两种类型： 增强型 N沟道型 P沟道型 耗尽型 N沟道型 P沟道型
P64ESSS(d)P沟道耗尽型(C)N沟道耗尽型(b)P沟道增强型(a)N沟道增强型图4.1MOSFET的符号虚线表示沟道在施加外电压后才形成－增强型实线表示沟道在施加外电压前就存在－耗尽型箭头朝里表示N沟道箭头朝外表示P沟道
图4.1 MOSFET的符号 虚线表示沟道在施加外电压后才形成－增强型 实线表示沟道在施加外电压前就存在－耗尽型 箭头朝里表示N沟道 箭头朝外表示P沟道
4.1N沟道增强型MOSFET的结构和工作原理4.1.1结构-N沟道增强型MOSFET的结构SMctalGOxide'(siO)Sourccrcgionp-typesubstrate(Body)Channclrcgion2BDrain region(a)Gate (G)Drain (D)source(s)MetalOxide(siO)Channelrcgionsubstrate-type(Body)Body(B)(b)
4.1 N沟道增强型MOSFET的结构和工作原 理 4.1.1结构－ N沟道增强型MOSFET的结构