5.4 场效应管的频率响应
5.4 场效应管的频率响应
5.4.1场效应管的高频小信号模型场效应管的低频小信号模型：无电容。场效应管的高频小信号模型：需要考虑电容Cgs和CgdGCgdDo+0+图5.16FET高频小信号模型Co+8-VavVS
5.4.1 场效应管的高频小信号模型 场效应管的低频小信号模型:无电容。 场效应管的高频小信号模型：需要考虑电容Cgs和Cgd。 图5.16 FET高频小信号模型
5.4.2特征频率类似于BJT，场效应管的特征频率可表示为gm(5. 32)tT2元(Cs +Cggd
5.4.2 特征频率 类似于BJT，场效应管的特征频率可表示为 T f ＝ 2 ( ) m gs gd g C C+ （5.32）
5.4.3Miller效应和Miller电容G90O?十+RdsgsSm&3图5.17含有负载R，的MOSFET的高频小信号等效电路
5.4.3 Miller效应和Miller电容 图5.17 含有负载 RL 的MOSFET的高频小信号等效电路
Cgd等效到输入回路：在输入端的栅极节点列写KCL方程，有I,=jo Cα(V-V(5.33)在输出端的漏极节点列写KCL方程，有ds+(5.34)(Vtio C0=（tgm-R,则上两式联立，消去，1+gmR,(5.35)i, =jo Cga 1+joRCgdg5
在输入端的栅极节点列写KCL方程，有 在输出端的漏极节点列写KCL方程，有 上两式联立，消去 Vds • 则 (5.34) (5.33) (5.35) Cgd等效到输入回路：