·沟道长度L：0.5um的MOSFET就是指它的沟道长度为0.5um。·沟道宽度W：MOSFET集成的微处理器中，W通常与L为同一个数量级；MOSFET集成的放大电路或其他模拟电路中，W可能比L大许多倍。W/L较大，则电压增益也较大。W为L的1000倍是常见的
• 沟道长度L：0.5μm的MOSFET就是指它的 沟道长度为0.5 μm 。 • 沟道宽度W： MOSFET集成的微处理器中，W通常与L 为同一个数量级； MOSFET集成的放大电路或其他模拟电 路中，W可能比L大许多倍。W/L较大，则 电压增益也较大。W为L的1000倍是常见 的
4.1.2工作原理四个极均未加电压时，两个PN结，如图4.3（a）所示。其等效电路如图4.3（b）所示。即使在漏极和源极之间施加电压，它们门之间也不会产生电流G栅极漏极源极SDN电子反型层P型D衬底或基体(B)衬底或基体(B)(c)(b)(a)图4.3N沟道增强型MOSFET的工作原
• 四个极均未加电压时，两个PN结，如图4.3(a)所 示。其等效电路如图4.3(b)所示。即使在漏极和 源极之间施加电压，它们之间也不会产生电流。 4.1.2 工作原理 图4.3 N沟道增强型MOSFET的工作原 理