W¨t∵R 当CS=0时若WE=0则W=1,控制写入电路进行写入 若WE=1则R=1,控制读出电路进行读出 当CS=1时R=0、W=0,读与写均不能进行。 CS WE 图4.7片选和读/写控制电路
W R 当CS＝0 时 若 WE ＝0 则 W＝1，控制写入电路进行写入； 若WE ＝1 则 R＝1，控制读出电路进行读出； 当CS＝1 时 R＝0、W＝0，读与写均不能进行。 图 4.7 片选和读／写控制电路 CS WE
■3.静态MS存储器芯片 ■RAM存储器芯片有很多种型号,其地址 线的引脚数与存储芯片的单元数有关 数据线的引脚数与存储芯片的字长有关。 另外,每一芯片必须有一片选信号,对 于RAM存储器芯片还必须有一读/写信 号,加上电源线、地线组成芯片的所有 引脚。 ■存储器芯片的地址范围是其地址线从全 “0到全“1进行编码
3.静态MOS存储器芯片 RAM存储器芯片有很多种型号，其地址 线的引脚数与存储芯片的单元数有关， 数据线的引脚数与存储芯片的字长有关。 另外，每一芯片必须有一片选信号，对 于RAM存储器芯片还必须有一读／写信 号，加上电源线、地线组成芯片的所有 引脚。 存储器芯片的地址范围是其地址线从全 “0”到全“1”进行编码
4.存储器的读、写周期 ■在与中央处理器连接时,CPU的时序与 存储器的读、写周期之间的配合问题是 非常重要的。对于已知的RAM存储片, 读写周期是已知的。图4.8示出RAM芯片 的读周期与写周期的时序波形图
4.存储器的读、写周期 在与中央处理器连接时，CPU的时序与 存储器的读、写周期之间的配合问题是 非常重要的。对于已知的RAM存储片， 读写周期是已知的。图4.8示出RAM芯片 的读周期与写周期的时序波形图
地址 WE OUT (a)读周期 WC 地址 WE (b)写周期
t RC t A 地址 WE DOUT (a) 读周期 地址 WE t DW DIN (b) 写周期 t CO CS t W CS T AW t WR t WC
(1)读周期 ■从给出有效地址后,到读出所选中单元的内 容外部数据总线上稳定地出现所需的时间t称 为读出时间。 读周期与读出时间是两个不同的概念,读周 期时间tc表示存储片进行两次连续读操作时 所必须间隔的时间,它总是大于或等于读出时 片选信号CS必须保持到数据稳定输出,t。为 片选的保持时间。 在读周期中为W高电平
(1)读周期 从给出有效地址后，到读出所选中单元的内 容外部数据总线上稳定地出现所需的时间tA称 为读出时间。 读周期与读出时间是两个不同的概念，读周 期时间tRC表示存储片进行两次连续读操 作时 所必须间隔的时间，它总是大于或等于读出时 间。 片选信号CS必须保持到数据稳定输出，tCO为 片选的保持时间。 在读周期中为WE高电平