第四章主存储器
第四章 主存储器
■4.1主存储器处于全机的中心地位P105 ■4.2主存储器的分类 存储器系统的分类如图所示 ROM(不可改写ROM) ROM(只读存储器)PROM(一次可改写ROM) EPROM(多次可改写ROM) 内存储器一 E-PROM(多次电可改写ROM) flash memory(快擦型存储器) SRAM(静态存储器) RAM(随机存储器) DRAM(动态存储器)
4．1 主存储器处于全机的中心地位 P105 4．2 主存储器的分类 存储器系统的分类如图所示。 ROM (不可改写 ROM) ROM(只读存储器) PROM (一次可改写 ROM) EPROM (多次可改写 ROM) 内存储器 E2PROM(多次电可改写 ROM) flash memory(快擦型存储器) SRAM (静态存储器) RAM(随机存储器) DRAM(动态存储器)
43主存储器的技术指标 1.存储容量 存储容量是指存储器系统能容纳的二进制总位 数,常用字节数或单元数×位数来描述。 (1)字节数 若主存按字节编址,即每个存储单元有8位, 则相应地用字节数表示存储容量的大小 1KB=1024B,1MB=1K×IK=1024×1024B, 1GB=1KMB=1024×1024×1024B
4.3 主存储器的技术指标 1．存储容量 存储容量是指存储器系统能容纳的二进制总位 数，常用字节数或单元数×位数来描述。 (1) 字节数 若主存按字节编址，即每个存储单元有8位， 则相应地用字节数表示存储容量的大小。 1KB＝1024B，1 MB＝1K×IK＝1024×1024B， 1 GB＝1 KMB＝1024×1024×1024B
(2)单元数×位数 ■若主存按字编址,即每个存储单元存放 个字,字长超过8位,则存储容量用单 元数×位数来描述
(2) 单元数×位数 若主存按字编址，即每个存储单元存放 一个字，字长超过8位，则存储容量用单 元数×位数来描述
2.存取速度 (1)存取时间Ta ■存取时间是指从启动一次存储器操作到 完成该操作所经历的时间 ■(2)存取周期Tm ■存取周期又称读写周期、访问周期,它 是指存储器进行一次完整的读写操作所 需的全部时间,即连续两次访问存储器 操作之间所需要的最短时间
2．存取速度 (1)存取时间Ta 存取时间是指从启动一次存储器操作到 完成该操作所经历的时间。 (2)存取周期Tm 存取周期又称读写周期、访问周期，它 是指存储器进行一次完整的读写操作所 需的全部时间，即连续两次访问存储器 操作之间所需要的最短时间