■(2)写周期 ■要实现写操作,必须要求片选CS和写命令 WE信号都为低。 要使数据总线上的信息能够可靠地写入存储 器,要求CS信号与WE信号相“与”的宽度至少 应为tw ■为了保证在地址变化期间不会发生错误写入 而破坏存储器的内容,信号在地址变化期间必 须为高。 为了保证有效数据的可靠写入,地址有效的 时间至少应为tc=tAw+tw+twR ■为了保证CS和wE变为无效前能把数据可靠地 写入,要求写入的数据必须在tw以前,保证 在数据总线上已经稳定
(2)写周期 要实现写操作，必须要求片选CS和写命令 WE信号都为低。 要使数据总线上的信息能够可靠地写入存储 器，要求CS信号与WE信号相 “ 与 ”的宽度至少 应为 t W 。 为了保证在地址变化期间不会发生错误写入 而破坏存储器的内容，信号在地 址 变 化 期 间 必 须为高。 为了保证有效数据的可靠写入，地址有效的 时间至少应为 tWC ＝ tAW ＋ t W ＋ tWR 。 为了保证CS 和 WE变为无效前能把数据可靠地 写入，要求写入的数据必须在 tDW以前，保证 在数据总线上已经稳定
例42下图是某SRAM的写入时序图 其中是读/写命令控制线,当线为低电 平时,存储器按当时地址2450H把数据 线上的数据写入存储器。请指出图4(a) 写入时序中的错误,并画出正确的写入 时序图
例4.2 下图是某SRAM的写入时序图， 其中是读／写命令控制线，当线为低电 平时，存储器按当时地址2450H把数据 线上的数据写入存储器。请指出图4.9(a) 写入时序中的错误，并画出正确的写入 时序图
地址 2159×2450 2200 数据 WE 图4.9(a)例42的写入时序 解:在线为低电平时,地址、数据都不能再变化,正确 的写入时序图如图4.9b)
地址 2159 2450 2200 数据 WE 图 4 . 9 (a) 例 4.2 的写入时序 解：在线为低电平时，地址、数据都不能再变化，正确 的写入时序图如图 4 . 9(b)
地址 2159 240× 2200 数据 WE 图4.9(b)正确的写入时序
地址 2159 2450 2200 数据 WE 图 4 . 9 (b) 正确的写入时序
5.RAM存储器的扩展 由于每一个集成片的存储容量终究是有限的, 所以需要一定数量的片子按一定方式进行连接 后才能组成一个完整的存储器 (1)位扩展 位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行 扩充。 位扩展的连接方式是将多片存储器的地址 片选、读写控制端相应并联,数据端分别引出 由mK×n1的存储器芯片组成mK×n2的存储器, 需(n2/n1)片mK×n1的存储器芯片
5. RAM存储器的扩展 由于每一个集成片的存储容量终 究 是 有 限 的， 所以需要一定数量的片子按一定 方 式 进 行 连 接 后才能组成一个完整的存储器。 (1)位扩展 位扩展指的是用多个存储器器件对字长进行 扩充。 位扩展的连接方式是将多片存储器的地址、 片选、读写控制端相应并联，数 据 端 分 别 引 出 。 由mK×n 1的存储器芯片组成mK×n 2的存储器， 需(n 2 ／ n 1 ) 片mK×n 1的存储器芯片