光纤通信基础光纤制造技术CVD法制作技术所涉及的主要氧化反应有：SiCl + O, % 凝? SiO, +2Cl, -GeCl +0, %? GeO, +2Cl, -(2.8.24POCl, + 30, % ? 2P,O, +6Cl, -)4BCl, + 30, % 2 B,0, +6Cl, -4SiCl,F + 30, / ? 4SiO1.sF +6Cl, -在石英中掺氟也可与氟化物气体与固相Si02在气固平衡条件下实现。一个典型的方法是：SiF.- +3SiO,%多? 4SiO1,F(2.8.322024/4/2112
2024/4/21 12 CVD法制作技术所涉及的主要氧化反应有： 在石英中摻氟也可与氟化物气体与固相SiO2在气固平衡条件下实现。 一个典型的方法是： 光纤通信基础 光纤制造技术 （2.8.2 ） （2.8.3 ）
光纤通信基础光纤制造技术注意：MCVD法是使用最为广泛的光纤预制棒工业生产方法。分类：具体沉淀方法不同外部气相沉淀法内部气相沉淀法改进的化学气相法（MCVD）侧向外部气相沉淀法（OVD）等离子体激活气相沉淀法轴向气相沉淀法（VAD）(PCVD)以上方法获得的光纤预制棒和光纤均为无定形的熔融状态石英，在材料内部分子随机取向。其光学特性与石英晶体不同，在无认为引入双折射的情况下，熔融石英的光学特性是各向同性的在晶体内部，由于分子规则排列，取向一致，因此通常呈各向异性。2024/4/2113
2024/4/21 13 光纤通信基础 光纤制造技术 分类：具体沉淀方法不同 内部气相沉淀法 外部气相沉淀法 改进的化学气相法（MCVD） 侧向外部气相沉淀法（OVD） 等离子体激活气相沉淀法 （PCVD） 轴向气相沉淀法（VAD） 注意：MCVD法是使用最为广泛的 光纤预制棒工业生产方法。 以上方法获得的光纤预制棒和光纤均为无定形的熔融状态石英，在 材料内部分子随机取向。 其光学特性与石英晶体不同，在无认为引入双折射的情况下，熔融 石英的光学特性是各向同性的。 在晶体内部，由于分子规则排列，取向一致，因此通常呈各向异性
光纤通信基础光纤制造技术1.基本技术及原理2.内部气相沉积法3.外部气相沉积法4.拉丝工艺2024/4/2114
2024/4/21 14 光纤通信基础 光纤制造技术 1.基本技术及原理 2.内部气相沉积法 3.外部气相沉积法 4.拉丝工艺
光纤通信基础光纤制造技术内部气相沉淀法特点光纤预制棒的整个沉积过程在一个封闭的石英管内进行。优点沉积环境可控，不易受外部环境中杂质的影响缺点沉积效率低，有较多的原料不能发生沉积而随废气排出。在内部沉积法中，MCVD法是目前使用最广泛的光纤预制棒生产工艺，也是比较成熟的光纤预制棒工业化生产方法。2024/4/2115
2024/4/21 15 光纤预制棒的整个沉积过程在一个封闭的石英管内进行。 沉积环境可控，不易受外部环境中杂质的影响 沉积效率低，有较多的原料不能发生沉积而随废气排出。 在内部沉积法中，MCVD法是目前使用最广泛的光纤预制棒生产工艺， 也是比较成熟的光纤预制棒工业化生产方法。 光纤通信基础 光纤制造技术 内部气相沉淀法 优 点 特 点 缺 点
光纤通信基础SiCl4 + 0, % 凝? SiO, +2Cl, -光纤制造技术GeCl, +O, / ? GeO, +2Cl, -4POCl, +30, ? 2P,0, +6Cl2 -MCVD法4BCl, +30, % ? 2B,0, +6Cl, -基本原理4SiCl,F +30, /4 4SiO1,F +6Cl, -以高纯氧气为运载气体，通过SiC14和GeC14等液体原料进行鼓泡，将其输送到一个由氢氧焰（或石墨炉）加热的高纯石英管内发生高温反应，在管壁上沉积出所需的纯石英或掺杂石英。加热喷灯以适当的速度沿石英管往复移动，同时为保证预制棒的圆对称性，在整个过程中都需要以一定的速度旋转石英管。当喷灯沿石英管完成一个行程，石英管内壁上将沉积出一层疏松状石英沉积层。2024/4/2116
2024/4/21 16 以高纯氧气为运载气体，通过SiCl4和GeCl4等液体原料进行鼓泡，将其输 送到一个由氢氧焰（或石墨炉）加热的高纯石英管内发生高温反应，在管壁上 沉积出所需的纯石英或掺杂石英。 加热喷灯以适当的速度沿石英管往复移动，同时为保证预制棒的圆对称性， 在整个过程中都需要以一定的速度旋转石英管。当喷灯沿石英管完成一个行程， 石英管内壁上将沉积出一层疏松状石英沉积层。 光纤通信基础 光纤制造技术 MCVD法 基本原理