1/54课程章节第1章 绪论第2章半导体器件基础第3章双极型模拟集成电路的基本单元电路第4章MOS模拟集成电路的基本单元电路第5章负反馈放大电路第6章集成运算放大器的分析与应用第7章直流电源电路
1/54 第1章 绪论 第2章 半导体器件基础 第3章 双极型模拟集成电路的基本单元电路 第4章 MOS模拟集成电路的基本单元电路 第5章 负反馈放大电路 第6章 集成运算放大器的分析与应用 第7章 直流电源电路 课程章节
第四章MOS模拟集成电路的基本单元问题：1.如何用FET构成基本放大电路？2用FET可以构成哪三种基本放大电路？3.场效应管放大电路与晶体管放大电路有哪些不同之处？4.在不同场合，应如何选择基本放大电路？
主讲:刘颖 问题： 1.如何用FET构成基本放大电路？ 2.用FET可以构成哪三种基本放大电路？ 3.场效应管放大电路与晶体管放大电路有 哪些不同之处？ 4.在不同场合，应如何选择基本放大电路 ？ 第四章MOS模拟集成电路的基本单元
3/54第四章MOS模拟集成电路的基本单元MOS场效应管的特点[二 （模型）场效应管的等效电路三、MOS管三种基本放大电路四、MOS恒流源负载五、MOS管电流源福六、MOS管单级放大器t、MOS管差分放大电路5八九CMOS管功率放大电路MOS模拟开关江
3/54 第四章 MOS模拟集成电路的基本单元 一、MOS场效应管的特点 二、场效应管的等效电路（模型） 三、MOS管三种基本放大电路 四、MOS恒流源负载 五、MOS管电流源 六、MOS管单级放大器 七、MOS管差分放大电路 八、CMOS管功率放大电路 九、MOS模拟开关
4/54复习N沟道增强型MOS场效应管结构漏极D一集电极C栅极G一→基极B电极一金属源极S→发射极E绝缘层一氧化物北D基体一半导体因此称之为MOS管SiO2DN+N+GBoP衬底-SN沟道箭头向里栅极G一→基极B衬底断开B源极S发射极E衬底B漏极D一集电极C
4/54 N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 复习 栅极G→基极B 源极S→发射极E 漏极D→集电极C
5/54复习1各类绝缘栅场效应三极管（即MOS管）的特性曲线ID木ID+N沟道增强型8VdUGs= 6V600田绝缘栅场效应管4V02VeUsS+2P沟道增强型ID#IDd-8VTUGs=-6V+-4V2V5Ups
5/54 各类绝缘栅场效应三极管（即MOS管）的特性曲线 绝 缘 栅 场 效 应 管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 复习1 UT