整个直流辉光放电系统的电位分布 闭极 电位 阳极桶 y级 两极间的电压降几乎全部集中在阴极鞘层中:因为负电极力图吸 引的是正离子,但后者的质量大,被加速的能力弱,加速较难
整个直流辉光放电系统的电位分布 两极间的电压降几乎全部集中在阴极鞘层中：因为负电极力图吸 引的是正离子，但后者的质量大，被加速的能力弱，加速较难
物质的溅射效应 ■阴极鞘层电位的建立使到达阴极的离子均 要经过相应的加速而获得相应的能量,即 轰击阴极的离子具有很高的能量,它使阴 极物质发生溅射现象 溅射仅是离子轰击物体表面时发生的物理 过程之一,其相对的重要性取决于入射离 子的种类与能量。几十至几十千eV是物质 溅射所对应的离子能量区间
◼ 阴极鞘层电位的建立使到达阴极的离子均 要经过相应的加速而获得相应的能量，即 轰击阴极的离子具有很高的能量，它使阴 极物质发生溅射现象 ◼ 溅射仅是离子轰击物体表面时发生的物理 过程之一，其相对的重要性取决于入射离 子的种类与能量。几十至几十千eV是物质 溅射所对应的离子能量区间 物质的溅射效应
S单晶上Ge沉积量与入射Ge+离子能量间的关系 D 沉积现象 白得瓣出名 教射现象 高子注入现象 离子能量/keV
Si单晶上Ge沉积量与入射Ge+离子能量间的关系
物质的溅射产额 靶材溅射过程释放出的各种粒子中,主要是单 的原子,以及少量的原子团,而离子所占的 匕例只有1-10% 溅射产额是是衡量溅射过程效率的一个参数 被溅射出来的物质总原子数:入射离子数 物质的溅射能量存在一定的阈值;每种物质的 溅射阈值与被溅射物质的升华热成比例。金属 的溅射阈值多在10~40eV之间
◼ 靶材溅射过程释放出的各种粒子中，主要是单 个的原子，以及少量的原子团，而离子所占的 比例只有1-10% ◼ 溅射产额是是衡量溅射过程效率的一个参数： 被溅射出来的物质总原子数 ：入射离子数 ◼ 物质的溅射能量存在一定的阈值；每种物质的 溅射阈值与被溅射物质的升华热成比例。金属 的溅射阈值多在1040eV之间 物质的溅射产额
Ni的溅射产额与入射离子种类和能量之间的关系 入射子 溅射有其阈值 入射干量e
Ni的溅射产额与入射离子种类和能量之间的关系 溅射有其阈值